孙利杰
- 作品数：13 被引量：41H指数：5
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- ZnO导电类型和发光机理的新探索
- 目前一般认为ZnO的n性导电源于ZnO中的氧空位(Vo)，它的紫外发光来自自由激子及其声子伴线的发光。本文的研究结果得出了不同的看法。大量实验结果表明，无论是ZnO的n性导电处是它的紫外发光都与ZnO中的锌填隙有关。实验...
- 傅竹西徐小秋孙利杰施媛媛
- 关键词：发光机理氧空位电子浓度氧化锌
- 文献传递
- 高压高温下Zn气氛处理对ZnO单晶紫外发光的影响
- 通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较未处理的样品增强了近一个数量级。在1...
- 徐小秋林碧霞孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西
- 关键词：化合物半导体发光强度电子浓度
- 文献传递
- ZnO/Si异质结的光电转换特性研究被引量：5
- 2008年
- 利用直流反应溅射方法在p型Si衬底上生长掺Al的n型ZnO薄膜,测量了由n型ZnO薄膜和p型Si衬底组成的异质结在黑暗和光照条件下的I-V特性,结果表明该异质结具有优良的整流特性,而且在光照条件下的反向电流迅速增大并很快趋于饱和.通过测量ZnO薄膜的光电流和异质结的光电压的光谱响应,初步分析了异质结的光电转换机理.测量结果显示,在入射光波长为380nm时光电流强度明显下降,反映出光电流与ZnO薄膜禁带宽度的密切关系;同时还发现,在与ZnO禁带宽度相对应的波长前后所产生的光生电压方向相反.推测这一现象与异质结的能带结构密切相关.
- 张伟英邬小鹏孙利杰林碧霞傅竹西
- 关键词：ZNO薄膜异质结光电转换光谱响应
- ZnO薄膜的掺杂和光电性质研究
- 氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带半导体(3.37eV)，具有较高的激子结合能60 meV在开发短波长光电器件等诸多方面有着很大的应用潜力。然而，ZnO的实用化仍存在许多问题和困难，例如p型ZnO的掺杂、同质p-n结的制备问...
- 孙利杰
- 关键词：氧化锌薄膜电学性质透明导电膜宽禁带半导体
- 文献传递
- 退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响被引量：2
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜。X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构。研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响。发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于可见光发射。随着退火温度的提高,紫外峰强度减弱直至消失,而绿光发射强度先增加而后降低。对退火温度引起ZnO薄膜发光性质改变的机制进行了探讨。
- 郑海务孙利杰张杨张伟风顾玉宗傅竹西
- 关键词：6H-SICZNO薄膜光致发光溶胶-凝胶
- Ag-S共掺杂ZnO薄膜的光电性质研究
- 氧化锌的p型掺杂是其器件化的关键问题。为解决这一难题,本文首次在实验上通过Ag-S共掺杂存Si基片上来制备出p型ZnO薄膜。XRD和SEM测试表明,所得样品为c轴高度取向,且表面平整致密的ZnO薄膜。XPS测试证实了Ag...
- 孙利杰邬小鹏徐小秋林碧霞傅竹西
- 关键词：同质结光电性质氧化锌薄膜P型掺杂
- 文献传递
- 退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响被引量：1
- 2008年
- 采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮ZnO薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(XRD)结果表明,Zn3N2在600℃以上退火即可转变为ZnO:N薄膜.X射线光电子能谱(XPS)发现,在热氧化法制备的ZnO:N薄膜中,存在两种与N相关的结构,分别是N原子替代O(受主)和N2分子替代O(施主),这两种结构分别于不同的退火温度下存在,并且700℃下退火的样品在理论上具有最高的空穴浓度,这一点也由霍尔测量结果得到证实.同时,从低温PL光谱中观察到了与No受主有关的导带到受主(FA)和施主-受主对(DAP)的跃迁,并由此计算出热氧化法制备的ZnO:N薄膜中的No受主能级位置.
- 钟声徐小秋孙利杰林碧霞傅竹西
- 关键词：热氧化XPS
- MOCVD制备SiC:Al薄膜的导电类型调控研究
- 2010年
- 用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型。用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量。Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜显示出n型;而Al含量在1.5%～3%之间的时候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜显示出p型。继续增加掺杂源的流量,所得SiC薄膜结晶质量会变得较差,电阻也变得较高。
- 陈小庆孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西
- 关键词：3C-SICMOCVD导电类型
- 氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响被引量：8
- 2010年
- 以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明:(1)随着退火温度的升高,样品的结晶性质也逐渐提高,从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大;(2)当退火温度从900℃升高至1000℃时,样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱,而紫外波段的发光强度明显增强;当退火温度升高至1100℃时,可见光波段的发光几乎完全被抑制,而紫外波段的发光强度急剧增强。分析认为,高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比,氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出,来自受主缺陷OZn的可见发射随温度升高逐渐减弱,而当退火温度达到1000℃以上时样品成为富锌状态,此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强。
- 钟泽孙利杰徐小秋陈小庆邬小鹏傅竹西
- 关键词：退火光致发光MOCVD
- Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究被引量：1
- 2011年
- 采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原子处于Zn原子的位置.利用低温及变温光致发光谱(PL)研究了ZnO∶Sb薄膜的光学性质,观察到了与Sb有关的A0X发射,并且计算得到其受主能级为150meV.分析认为掺Sb的ZnO薄膜中受主来源于SbZn-2VZn复合缺陷.
- 陈小庆孙利杰傅竹西
- 关键词：ZNO
