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王翠英

作品数:2 被引量:17H指数:2
供职机构:泰山医学院更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电特性
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇结构和光学特...
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO:GA
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 2篇山东大学
  • 2篇泰山医学院

作者

  • 2篇计峰
  • 2篇马瑾
  • 2篇王翠英
  • 2篇马洪磊
  • 1篇余旭浒
  • 1篇张锡健
  • 1篇王玉恒
  • 1篇肖洪地
  • 1篇宗福建
  • 1篇王卿璞

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性被引量:15
2005年
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 .
余旭浒马瑾计峰王玉恒王翠英马洪磊
关键词:磁控溅射ZNO:GA光电特性
溅射法生长Mg_xZn_(1-x_O薄膜的结构和光学特性被引量:2
2005年
用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了MgxZn1-xO薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有(002)方向择优取向;随氧分压增加,(002)衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小。室温光致发光谱中有多个紫外及可见光致发光峰,其中344nm发光峰应来源于近带边发射。室温透射谱表明薄膜在可见光区具有极高的透过率,薄膜的吸收边位于340nm附近,进而估算出MgxZn1-xO薄膜的带隙宽度为3.59eV,与光致发光结果一致。
张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰王翠英
关键词:射频磁控溅射光致发光
共1页<1>
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