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自旋输运和巨磁电阻理论: 邢定钰盛利顾若愚刘楣董锦明; 该项成果来源于国家“八五”和“九五”攀登计划子课题《纳米材料的理论研究》；国家自然科学基金项目《磁颗粒系统和磁多层结构巨磁电阻理论》、《混合价锰氧化物巨磁电阻的理论研究》及《巨磁电阻材料、物理及其在信息技术中的应用》的研...; 关键词：; 关键词：自旋输运巨磁电阻庞磁电阻

金属双层膜中量子输运的表面和界面散射效应被引量：11: 1996年; 运用格林函数的解析方法研究金属双层膜的电子输运.考虑了量子尺寸效应和来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射,计算单粒子格林函数和平行电导率,得到了金属双层膜的电导公式.计算结果表明,在薄膜极限和表面及界面散射的最低阶近似下,系统总电导率等于各子能级通道的电导率之和,而各子能级通道中杂质、表面和界面产生的散射率是可相加的.; 董正超盛利邢定钰董锦明; 关键词：金属膜量子输运

金属薄膜的量子输运理论被引量：14: 1997年; 运用格林函数方法和久保公式研究金属薄膜中的电子输运．考虑了量子尺寸效应及来自杂质和两个粗糙表面的散射，计算单粒子格林函数和平行电导率．计算结果表明：（１）在薄膜系统中，电子数密度、平均自由程以及来自杂质和表面散射的电导率都以π／ｋＦ（ｋＦ为费密波矢的数值）为周期随厚度ｄ振荡；（２）在薄膜和厚膜的两种极限。; 董正超盛利邢定钰董锦明; 关键词：金属量子输运

磁场中的拓扑绝缘体边缘态性质被引量：2: 2015年; 用数值方法研究了拓扑绝缘体薄膜体系在外加垂直磁场作用下其边缘态的性质.磁场的加入通过耦合k+e A,即Peierls势替换关系和该作用导致的Zeeman交换场体现在哈密顿量中.考虑窄条圆环状结构的二维InAs/GaSb/AlSb薄膜量子阱材料,当其处于拓扑非平庸状态,即量子自旋霍尔态时,会出现受时间反演对称性保护的两支简并边缘态,而在垂直磁场的作用下,时间反演对称性被破坏,这时能带将形成一条条的朗道能级,原来简并的两支边缘态也会分开到朗道能级谱线的两侧,从电子态密度的空间分布情况则可以看到边缘态分别局域在材料的两个边界.随着磁场的增大,位于同一边界上的不同自旋极化的边缘态将出现分离:一支仍然局域在边缘,另一支则随外加磁场的增加而有逐渐演化到材料内部的趋势.文中还计算了同一边界上的两支边缘态之间的散射,结果表明由于两个边缘态在空间发生分离,相互之间的散射被很大的压制,得到了其散射随磁场增加没有明显变化的结论,所以磁场并不会增强散射过程,也没有破坏体拓扑材料的性质,说明了量子自旋霍尔态在没有时间反演对称的情况下也可以有较强的稳定性.; 王青盛利; 关键词：拓扑绝缘体朗道能级

自旋陈数理论和时间反演对称破缺的量子自旋霍尔效应被引量：6: 2014年; 一般认为,量子自旋霍尔效应只有受到时间反演对称性的保护才是稳定的。但是,因为在实际材料中破坏时间反演对称性的微扰往往无法避免,这种受时间反演对称性保护的量子自旋霍尔效应在真实环境中并不稳定。本综述将介绍近期在寻找无需时间反演对称性保护的量子自旋霍尔效应方向上的系列研究进展。我们将证明量子自旋霍尔体系的非平庸拓扑性质在时间反演对称性被破坏后仍然可以完好存在,并通过一个规范讨论,将边缘态一般性质和体能带的非平庸拓扑性质联系起来。进一步,将探讨通过人工消除边缘态时间反演对称性而实现稳定的量子自旋霍尔效应的方案。此外,我们还将介绍自旋陈数理论,自旋陈数是在没有时间反演对称性存在时,表征量子自旋霍尔体系所处不同拓扑相的有效工具。; 盛利; 关键词：拓扑绝缘体时间反演对称性

混合价锰氧化物的金属绝缘体转变和特大磁电阻理论: 1998年; 提出了一个包括双交换自旋无序和非磁无序的局域化模型，解释了锰氧化物的异常磁性和输运性质．; 邢定钰盛利; 关键词：特大磁电阻锰氧化物

铁磁绝缘体间的极薄Bi_2Se_3薄膜的相变研究: 2013年; 研究一个极薄三维拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜处于两个铁磁绝缘体层之间,其铁磁层的磁化方向都处于竖直平面,系统拓扑性质随磁化方向夹角的变化.从表面态电子低能有效哈密顿量出发计算系统的Chern数,和运用一个具有Armchair边界的单层六角晶格带的紧束缚模型模拟系统的体能带和边缘态,来确定系统所处的拓扑相.发现两个铁磁层的磁化方式从平行转到反平行的某一临界角度,系统经历从反常量子霍尔相到普通绝缘相的转变.; 王怀强杨运友鞠艳盛利邢定钰; 关键词：拓扑绝缘体

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