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程吉凤: 作品数：20 被引量：26H指数：3; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院重点部署项目更多>>; 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

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带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法: 本发明公开了一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法，所述的大规模铟镓砷焦平面探测器在半绝缘InP衬底的背面有应力平衡层。探测器制备的具体步骤如下：1)淀积氮化硅刻蚀掩膜，2)台面刻蚀，3)开N槽，4)生长...; 程吉凤李雪邵秀梅邓双燕陈郁杨波马英杰龚海梅; 文献传递

平面型24元InGaAs短波红外探测器被引量：3: 2011年; 设计了带有保护环结构的平面型24×1 InGaAs线列短波红外探测器,利用n-i-n+型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料闭管扩散制备了平面型探测器。LBIC测试显示光敏元没有明显扩大,保护环起到了有效的隔离效果;I-V测试表明器件的优值因子R0A约4.2×106.cm2,在-0.1 V反向偏压下的暗电流密度约22nA/cm2,拟合得到的理想因子接近1,说明正向电流成分主要为扩散电流;在室温20℃,器件的响应光谱在0.9～1.68μm波段范围,其平均峰值电流响应率为1.24 A/W,平均峰值探测率为3.0×1012cm.Hz1/2/W,量子效率接近95%,响应的不均匀性为2.63%。; 邵秀梅李淘邓洪海程吉凤陈郁唐恒敬李雪; 关键词：INGAAS 保护环短波红外

截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器: 2022年; 采用闭管扩散的方法成功研制了截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器芯片。在分子束外延法(MBE)生长的In_(0.75)Al_(0.25)As/In_(0.75)Ga_(0.25)As/In_(0.75)Al_(0.25)As外延材料上,采用砷化锌作为扩散掺杂源、SiN_(x)作为扩散掩膜层,实现了扩散成结。分析了扩散结深和载流子侧向收集宽度、Ⅰ-Ⅴ特性、光谱响应特性和探测率,结果表明:150 K温度下,器件暗电流密度0.69 nA/cm^(2)@-10 mV,响应截止波长和峰值波长分别为2.12μm和1.97μm,峰值响应率为1.29 A/W,峰值量子效率达82%,峰值探测率为1.01×10^(12) cmHz^(1/2)/W。这些结果对后续进一步优化平面型延伸波长InGaAs焦平面探测器有重要的指导意义。; 程吉凤李雪李雪邵秀梅李淘马英杰杨波杨波; 关键词：INALAS/INGAAS 暗电流密度量子效率

ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究被引量：3: 2013年; 为获得低损伤、稳定性好的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InGaAs探测器台面成型工艺,采用Raman光谱技术和X射线衍射(XRD)技术,初步研究了Cl2/N2气氛刻蚀InGaAs的主要损伤机制,确定以晶格缺陷损伤为主;并采用微波反射光电导衰退(μ-PCD)法对不同处理工艺下表面的缺陷损伤进行了表征和分析,结果表明刻蚀表面湿法腐蚀和硫化的方法可在一定程度上减小表面的缺陷损伤和断键,但是存在一些深层次的缺陷。; 程吉凤朱耀明唐恒敬李雪邵秀梅李淘; 关键词：感应耦合等离子体铟镓砷 RAMAN光谱刻蚀损伤

短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展被引量：19: 2020年; 短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦平面以及新型多功能InGaAs探测器取得了良好进展。在常规波长InGaAs焦平面方面,从256×1、512×1元等线列向320×256、640×512、4000×128、1280×10^24元等多种规格面阵方面发展,室温暗电流密度优于5 n A/cm2,室温峰值探测率优于5×10^12cm·Hz1/2/W。在延伸波长InGaAs探测器方面,发展了高光谱高帧频10^24×256、10^24×512元焦平面,暗电流密度优于10 n A/cm^2和峰值探测率优于5×10^11cm·Hz1/2/W@200 K。在新型多功能InGaAs探测器方面,发展了一种可见近红外响应的InGaAs探测器,通过具有阻挡层结构的新型外延材料和片上集成微纳陷光结构,实现0.4~1.7μm宽谱段响应,研制的320×256、640×512焦平面组件的量子效率达到40%@0.5 m、80%@0.8 m、90%@1.55 m;发展了片上集成亚波长金属光栅的InGaAs偏振探测器,其在0°、45°、90°、135°的消光比优于20:1。; 李雪邵秀梅李淘程吉凤黄张成黄松垒杨波杨波马英杰顾溢方家熊; 关键词：INGAAS 焦平面短波红外暗电流探测率

高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片: 本专利公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金...; 曹高奇邵秀梅李雪杨波邓双燕程吉凤于一臻龚海梅; 文献传递

一种控制铟镓砷光敏芯片平面度的平衡层结构: 本发明公开一种控制铟镓砷光敏芯片平面度的平衡层结构，该结构是在光敏芯片基底背面集成一种投射红外波段的光学薄膜，通过控制光学薄膜生长厚度，可实现对光学薄膜内应力的调整，从而达到光敏芯片基底背面与正面的应力平衡，实现高平面度...; 程吉凤李雪邵秀梅邓双燕万露红李淘马英杰龚海梅; 文献传递

一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法: 本发明公开了一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法，其结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N+型InP层，组分渐变的N+型InxAl<Sub...; 万露红邵秀梅李雪邓双燕曹高奇程吉凤; 文献传递

一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法: 本发明公开了一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅(SiNx)钝化层，P...; 曹高奇唐恒敬王云姬李雪邵秀梅程吉凤龚海梅; 文献传递

一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片: 本发明公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金...; 曹高奇邵秀梅李雪杨波邓双燕程吉凤于一臻龚海梅