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袁敏哲

作品数：7 被引量：7H指数：1
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部科学技术研究重点项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：动力工程及工程热物理电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇动力工程及工...
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇换热
  • 5篇热流密度
  • 4篇强化换热
  • 4篇芯片
  • 4篇沸腾换热
  • 4篇高热流密度
  • 3篇FC-72
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔结构
  • 2篇热度
  • 2篇临界热流
  • 2篇临界热流密度
  • 2篇流动沸腾换热
  • 2篇孔结构
  • 2篇方柱
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子芯片
  • 1篇热系数
  • 1篇模拟芯片
  • 1篇换热系数

机构

  • 7篇西安交通大学

作者

  • 7篇袁敏哲
  • 6篇魏进家
  • 5篇方嘉宾
  • 3篇薛艳芳
  • 3篇马爱香
  • 2篇高秀峰

传媒

  • 1篇工程热物理学...
  • 1篇中国工程热物...
  • 1篇中国工程热物...
  • 1篇中国工程热物...

年份

  • 1篇2011
  • 4篇2009
  • 2篇2008
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法
本发明涉及高热流密度沸腾强化换热技术，特别涉及高热流密度微电子芯片高效冷却技术，具体为一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法，具体为：在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有SiO<Sub>2</S...
魏进家薛艳芳方嘉宾高秀峰袁敏哲
文献传递
方柱微结构上FC-72的流动沸腾强化换热实验研究
实验研究了流速、过冷度以及表面微结构状况对芯片表面沸腾换热性能以及临界热流密度(CHF)的影响。模拟芯片为10mm×10mm×0.5mm的硅片，表面用干腐蚀方法加工方柱微结构以强化沸腾换热。方柱微结构边长为30μm, 高...
马爱香魏进家方嘉宾袁敏哲
关键词：强化换热换热性能热流密度
文献传递
一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法
本发明涉及高热流密度沸腾强化换热技术，特别涉及高热流密度微电子芯片高效冷却技术，具体为一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法，具体为：在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有SiO<Sub>2</S...
魏进家薛艳芳方嘉宾高秀峰袁敏哲
文献传递
方柱微结构表面上FC-72的流动沸腾强化换热实验研究被引量：7
2009年
为了提高电子器件的冷却效率,研究了不导电介质FC-72在表面加工有方柱微结构的模拟芯片上的流动沸腾强化换热性能。采用了两种方柱微结构,其边长均为30μm,但高度分别为60μm和120μm。方柱微结构芯片与光滑芯片相比显示出较好的强化沸腾换热效果,且增加方柱高度可有效提高流动沸腾强化换热性能。方柱微结构芯片的临界热流密度随着流速和过冷度的增大而增大,且到达临界热流密度(CHF)时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的上限温度85℃。
马爱香魏进家袁敏哲方嘉宾
关键词：FC-72
高热流密度电子器件高效冷却的流动沸腾强化换热实验研究
针对电子器件的高效冷却技术开发，实验研究了流速与模拟芯片表面微结构状况对强制对流沸腾换热性能以及临界热流密度值(CHF)的影响。模拟芯片为10mm×10mm×0.5mm的硅片，粘贴在截面为30mm×5mm的水平通道底部。...
马爱香魏进家袁敏哲方嘉宾
关键词：强化换热电子器件
文献传递
模拟芯片上流动沸腾换热系数规律研究
实验研究了4种采用干腐蚀技术生成的方柱微结构芯片在FC-72中的流动沸腾换热。方柱微结构的边长和柱厚为30μm或50μm，高度分别为60μm和120μm。测试了3种流速0.5、1.0、2.0m/s 以及3种过冷度15、2...
袁敏哲魏进家薛艳芳
关键词：流动沸腾换热强化换热换热系数
文献传递
电子芯片高效冷却流动沸腾换热实验研究
袁敏哲
关键词：流动沸腾换热高热流密度FC-72
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