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谭明

作品数：43 被引量：13H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 10篇会议论文
  • 7篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 6篇电气工程
  • 4篇理学
  • 3篇文化科学
  • 2篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 29篇电池
  • 12篇太阳能电池
  • 11篇太阳能
  • 9篇键合
  • 8篇衬底
  • 6篇太阳电池
  • 6篇外延层
  • 5篇电极
  • 5篇电压
  • 5篇热光伏电池
  • 5篇金属
  • 5篇开路电压
  • 5篇光伏电池
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 4篇光电转换
  • 4篇光电转换效率
  • 4篇二极管
  • 4篇INGAAS...
  • 4篇GAAS

机构

  • 43篇中国科学院
  • 4篇中国科学技术...
  • 3篇西安理工大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇贵州大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇上海空间电源...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 43篇谭明
  • 40篇陆书龙
  • 29篇吴渊渊
  • 28篇代盼
  • 25篇季莲
  • 11篇杨辉
  • 8篇杨文献
  • 6篇李雪飞
  • 4篇赵勇明
  • 3篇朱亚旗
  • 3篇何巍
  • 3篇王青松
  • 2篇陈治明
  • 1篇罗向东
  • 1篇黄健
  • 1篇李雪飞
  • 1篇边历峰
  • 1篇李宝吉
  • 1篇马忠权
  • 1篇顾俊

传媒

  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光学学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 8篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于热光伏电池的单片连接组件的制备方法
一种基于热光伏电池的单片连接组件制备方法，包括：I、在半绝缘衬底上生长外延层；II、在相邻设定电池单元之间的选定区域内均加工形成底端达到和/或深入横向传输层的槽状结构，并在槽状结构底部形成隔离槽；III、在槽状结构内壁上...
谭明陆书龙季莲何巍代盼
文献传递
高质量In0.68Ga0.32As/InAsxP1-x/InP热光伏电池材料的生长研究
本文主要研究了在InP衬底上利用MOCVD外延技术成功生长了晶格失配大于1.1％厚度约为3微米的In0.68Ga0.32As薄膜材料;通过As组分的改变，在InAsxP1-x缓冲层中形成了张应变和压应变相互交替补偿的结构...
朱亚旗陆书龙季莲赵勇明谭明
关键词：应力释放
文献传递
太阳能电池的测试设备
本发明公开一种太阳能电池的测试设备，包括：可控温承载台，用于承载待测试的太阳能电池，并将待测试的太阳能电池的温度保持在一预定温度；电子束发射装置，位于可加热承载台的上方，用于发射电子束对待测试的太阳能电池的表面进行扫描；...
代盼陆书龙季莲谭明吴渊渊杨辉
文献传递
太阳能电池栅线复合电极
一种太阳能电池栅线复合电极，包括设在电池上的透明导电栅线电极以及金属栅线电极，其中：所述透明导电栅线电极为透明导电氧化物栅线电极；所述金属栅线电极覆盖在所述透明导电栅线电极上，并与该透明导电氧化物栅线电极形成欧姆接触。本...
王青松陆书龙谭明
文献传递
一种柔性衬底GaAs薄膜电池及其制备方法
本发明公开了一种柔性衬底GaAs薄膜电池，该电池包括柔性衬底以及依次形成于所述柔性衬底上的第一电极、GaAs薄膜电池和第二电极，所述第一电极包括依次形成于所述柔性衬底上的Au金属层和ITO金属层。本发明还公开了如上所述电...
谭明陆书龙代盼吴渊渊季莲
文献传递
基于金属柔性基底的太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种基于金属柔性基底的太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，并在所述第一衬底上制作形成阻挡层；在所述阻挡层上制作形成电池外延层；提供第二衬底，并将所述第二衬底固定在所述电池外延层上；依次去除所述第...
肖梦龙军华卢建娅李雪飞谭明代盼吴渊渊陆书龙
文献传递
MBE生长的室温晶片键合InGaAsP/InGaAs/GaInP/GaAs四结电池
由于理论限制，三结电池的聚光效率已经达到极限。开发更多结的电池，使用更多能量逐渐增加的带隙组合吸收更宽的太阳光谱是实现更高的效率的重要途径。然而，由于带隙较高的材料的晶格常数往往比低带隙材料的晶格常数小，很多最优带隙组合...
代盼陆书龙季莲吴渊渊谭明杨辉
关键词：分子束外延晶片键合
自聚光长波失配InGaAs电池及其制备方法
本发明公开了一种自聚光长波失配InGaAs电池及其制备方法。所述自聚光长波失配InGaAs电池包括外延结构以及与所述外延结构匹配的第一电极、第二电极，所述外延结构包括依次层叠设置的InP衬底、InAs<Sub>x</Su...
谭明卢建娅金山李雪飞孙强健陆书龙
基于InP衬底的晶格失配In_(0.68)Ga_(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究被引量：1
2013年
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的InAsxP1-x'虚拟'衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在'虚拟'衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量.
朱亚旗陈治明陆书龙季莲赵勇明谭明
关键词：IN0应力释放
三结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种三结太阳能电池，包括Si子电池、以及在Si子电池上依次叠层设置的过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结、AlGaInP子电池。本发明还公开了三结太阳能电池的制备方法，包括：制备Si子电池；在...
代盼陆书龙吴渊渊谭明季莲杨辉
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