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陈学川

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇趋肤效应
  • 2篇RSD
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇热学
  • 1篇热学特性
  • 1篇晶体管
  • 1篇开关晶体管
  • 1篇反向开关晶体...
  • 1篇半导体

机构

  • 2篇华中科技大学

作者

  • 2篇陈学川
  • 1篇尚超
  • 1篇黄朝
  • 1篇余岳辉

传媒

  • 1篇2008年中...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
半导体脉冲功率开关的趋肤效应研究
本文基于交变电场中趋肤效应的理论，研究了一种半导体脉冲开关器件RSD中存在的趋肤效应问题。根据日本学者提出的对半导体器件家族的分类方法先将其划分为PIN 型二极管器件，并使用有限元软件ANSYS模拟了这种器件的基本结构，...
陈学川余岳辉尚超黄朝
关键词：趋肤效应RSD有限元分析
文献传递
半导体脉冲功率器件RSD的热学性质研究
反向开关晶体管RSD（Reversely Switched Dynistor）是20世纪80年代由前苏联的科学家基于可控等离子层的换流原理提出的一种专门应用于脉冲功率领域的新型半导体开关。RSD 器件独特的换流特性使其残...
陈学川
关键词：反向开关晶体管热学特性趋肤效应
文献传递
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