陈航
- 作品数：25 被引量：31H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种碳化硅-硅异质结结构的光电探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种碳化硅‑硅异质结结构的光电探测器，包括P型硅基衬底，间隔设置在P型硅基衬底顶层的P型离子注入区，设置在P型离子注入区上的金属阳极；设置在金属阳极之间，且设置在P型硅基衬底表面的N型碳化硅外延层，设置在N型碳...
- 张有润宋鹏汉李逸康陈航张波
- 文献传递
- 一种碳化硅线性温度传感器及其测温方法和制造方法
- 一种碳化硅线性温度传感器及其测温方法和制造方法，属于半导体器件技术领域。本发明包括碳化硅N<Sup>‑</Sup>外延层顶层的P阱，P阱顶层中央结深较浅的N阱，位于N阱中央的N型碳化硅欧姆接触区，位于N型碳化硅欧姆接触区...
- 张有润顾航陈航路统霄胡刚毅李俊焘张波
- 文献传递
- 不同掺Al^(3+)浓度的ZnO:Al薄膜性能研究被引量：13
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3+浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3+掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340nm。
- 葛启函邓宏陈航徐自强
- 关键词：ZNO:AL薄膜溶胶凝胶法光电性能
- 一种碳化硅MOS场效应晶体管
- 本发明涉及一种碳化硅MOS场效应晶体管，属于高功率半导体技术领域。本发明MOSFET的P型基区突出进入到JFET区0.3um，在反向状态的时候，进入JFET区的P型基区起到屏蔽电场，且保护场氧的作用。本发明器件的栅氧最高...
- 张有润李坤林王帅钟炜陈航杨啸张波
- 文献传递
- 掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响被引量：7
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内,从而使薄膜的禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示,ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成,通过掺入Cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移,这与透射谱中吸收带边的红移相吻合,由紫外发光峰得到的光禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致。对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较,发现Cd掺入量为8%摩尔分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能。
- 陈航邓宏戴丽萍陈金菊韦敏
- 关键词：溶胶-凝胶法红移
- 半导体紫外探测器及其研究进展
- 本文介绍了不同类型的半导体紫外光敏探测器的结构和性能,回顾了其发展历史,并且综述了以各类型半导体为基的紫外光敏探测器的研究新进展。
- 徐自强李燕谢娟陈航王恩信邓宏
- 关键词：紫外探测器金刚石SICGANZNO
- 文献传递
- 一种带P型埋层的4H-SiC PiN二极管被引量：1
- 2020年
- 碳化硅(SiC)PiN二极管是应用在高压大功率整流领域中的一种重要的功率二极管。受SiC外延材料的载流子寿命限制以及常规SiC PiN二极管较低的阳极注入效率的影响,SiC PiN二极管的正向导通性能较差,这极大限制了其在高压大电流领域的应用。文章提出了一种带P型埋层的4H-SiC PiN二极管,较常规SiC PiN二极管增强了阳极区的少子注入效率,降低了器件的导通电阻,增大了正向电流。仿真结果表明,当正向偏压为5 V时,引入P型埋层的SiC PiN二极管的正向电流密度比常规SiC PiN二极管提升了52.8%。
- 王帅张有润罗佳敏罗茂久陈航
- 关键词：PIN二极管电流密度
- 一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法
- 本发明属于功率半导体器件领域，具体地说涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法，所述晶闸管包括阳极、阴极和栅极三个电极，还包括P‑N‑P‑N四层结构，其中，所述P‑N‑P‑N四层结构包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅缓冲层...
- 张有润罗佳敏陈航罗茂久张波
- 文献传递
- 一种优化导通电阻的集成肖特基VDMOS器件
- 本发明涉及一种优化导通电阻的集成肖特基VDMOS器件，属于功率半导体技术领域。本发明采用在P型阱区纵向上多次开孔集成肖特基接触的方式，没有增加器件元胞的横向面积，保证了器件的正向导通能力与传统结构基本一致，同时利用肖特基...
- 张有润贺鹏陈航欧阳钢陈劭桦张波
- 基于有限域格林函数法的碳化硅器件温度场模型与结构研究
- 碳化硅(Silicon carbide,SiC)材料凭借其优异的材料特性,成为被寄予厚望的新一代半导体,作为代表的SiC金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)器件具有耐压高、功率密度高、开关速度快以及耐高温能力优秀等突出...
- 陈航
- 关键词：碳化硅功率器件温度传感器
