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陶涛

作品数：90 被引量：42H指数：4
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 5篇学位论文
  • 3篇会议论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 8篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇艺术
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学
  • 1篇历史地理

主题

  • 13篇纳米
  • 10篇衬底
  • 9篇刻蚀
  • 8篇阵列器件
  • 8篇量子
  • 8篇半导体
  • 7篇多量子阱
  • 7篇金刚石
  • 7篇蓝宝
  • 7篇发光
  • 7篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 7篇刚石
  • 6篇氮化
  • 6篇全色
  • 6篇量子点
  • 6篇金属
  • 6篇蓝宝石
  • 5篇单晶
  • 5篇氮化镓

机构

  • 90篇南京大学
  • 2篇南京邮电大学
  • 2篇厦门大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇南京信息工程...
  • 1篇盐城师范学院
  • 1篇南方科技大学

作者

  • 90篇陶涛
  • 59篇张荣
  • 57篇刘斌
  • 53篇谢自力
  • 33篇郑有炓
  • 29篇陈敦军
  • 29篇修向前
  • 25篇智婷
  • 21篇陈鹏
  • 16篇施毅
  • 15篇韩平
  • 14篇刘斌
  • 13篇周玉刚
  • 8篇赵红
  • 8篇庄喆
  • 5篇李振华
  • 4篇王轩
  • 4篇王科
  • 4篇潘丹峰
  • 3篇陈凯

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇第十二届全国...
  • 2篇物理学报
  • 2篇发光学报
  • 1篇中国照明电器
  • 1篇中国激光
  • 1篇稀有金属
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 3篇2024
  • 13篇2023
  • 14篇2022
  • 8篇2021
  • 11篇2020
  • 10篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 6篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2007
共 90 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法
本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1...
刘斌戴姜平张荣陶涛谢自力陈敦军韩平施毅郑有炓
（010）面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用
本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用，其步骤包括：(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗；(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理，从而在氧化...
修向前李悦文许万里陶涛张荣
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4,4’-二正丁基-5,5’-二(4-吡啶基)-2,2’-双噻唑及其制法和对铁离子的荧光传感与生物应用
一种2,2’-双噻唑化合物，它是4,4’-正丁基-5,5’-(4-吡啶基)-2,2’-双噻唑，具有如下结构式：<Image file="DDA00002732179200011.GIF" he="156" imgCont...
黄伟尹桂刘远陶涛
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基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RG...
刘斌蒋迪余俊驰王轩陶涛潘丹峰谢自力周玉刚陈敦军修向前张荣
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栅状电极增强表面等离激元激光器及其制备方法
本发明公开了一种栅状电极增强表面等离激元激光器，该激光器包括表面等离激元衬底、多量子阱纳米线和栅状电极。本发明利用栅状电极对纳米结构实施电磁场刺激，同时利用等离激元可与增益介质中的激子形成共振耦合从而实现增益介质中光子的...
陶涛苗涛蒋迪智婷刘斌
一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法
本发明涉及一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法。本发明公开了一种采用PA‑MBE(分子束外延技术)制备高质量单晶GaN纳米线的方法，在Si衬底上先生长岛状AlN成核点，再在岛状AlN成核点上生长GaN纳米线...
刘斌吴耀政张荣王科陶涛谢自力修向前陈敦军郑有炓
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InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法
本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的In<Sub>x</Sub>G...
刘斌智婷张荣陶涛谢自力郭旭葛海雄陈鹏陈敦军韩平施毅郑有炓
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单片异质集成的microLED显示芯片及其制备方法
本发明公开一种单片异质集成的microLED显示芯片，采用外延片上microLED柱阵列，与二维半导体薄膜晶体管矩阵作为驱动电路进行垂直单片异质集成。本发明还公开了其制备方法。本发明避免了传统microLED显示芯片制备...
王欣然刘斌孟琬青许非凡于志浩陶涛
InGaN异质结构及其太阳能光电化学电池分解水制氢技术研究
随着化石能源的消耗和环境污染的加剧，人类社会的可持续发展迫切需要开发可再生的清洁能源。在众多新兴能源中最具有潜力的是太阳能。但是目前太阳能电池的转换效率仍然较低，而且从太阳能转换而来的电能在存储方面仍然存在一定的技术难度...
陶涛
关键词：制氢技术
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ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法，包括以下步骤：取一衬底，衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓；在衬底依次外延生长GaN缓冲层，n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片；量子阱...
张荣智婷陶涛谢自力万图图叶展圻刘斌修向前李毅韩平施毅郑有炓
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