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雷红: 作品数：91 被引量：319H指数：11; 供职机构：上海大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科委纳米专项基金更多>>; 相关领域：机械工程金属学及工艺电子电信自动化与计算机技术更多>>

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化学机械抛光技术在超精加中的应用被引量：3: 2004年; 在电子制造行业，随着产品性能的不断提高，对表面质量的要求越来越高．硅片作为集成电路芯片的基础材料，其表面粗糙度和表面平整度成为影响集成电路刻蚀线宽的重要因素之一．在计算机硬盘技术中，磁头、磁盘的表面粗糙度、波纹度和纳米划痕不仅影响磁头的飞行稳定性，而且影响表面的抗腐蚀性．抛光是表面平面化加工的重要手段．与机械抛光、化学抛光、流体抛光、磁研磨抛光、离子束轰击抛光、电化学抛光、浮法抛光等常见的抛光技术相比，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)是目前广泛采用的并且是几乎唯一的全局平面化技术．CMP是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，其工艺是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液的存在下相对于抛光垫作旋转运动，借助抛光液中磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除，并获得光洁表面．该文综述了CMP技术在集成电路、计算机硬盘基片等先进电子产品制造中的应用．; 雷红张鹏珍; 关键词：化学机械抛光超精加工计算机硬盘化学气相沉积先进制造业

计算机硬盘基片抛光后用的清洗剂组合物: 本发明涉及一种计算机硬盘抛光后用的清洗剂组合物，其特征在于该清洗剂含有ZETA电位调节剂；该清洗剂组合物具有以下的组成成分及其重量百分含量：表面活性剂5～15%，ZETA电位调节剂2～8%，缓蚀剂0.2～1.5%，碱性氢...; 雷红; 文献传递

CMP后清洗技术的研究进展被引量：22: 2008年; 化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗剂、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。; 雷红; 关键词：化学机械抛光清洗技术

一种氧化铝复合磨粒的制备方法: 本发明公开了一种氧化铝复合磨粒的制备方法。氧化铝复合磨粒为一种形貌不规则的纳米级氧化铝‑金属有机框架材料复合颗粒，其制备方法为，利用1,2,4‑苯甲酸酐和2‑氨基‑3‑甲基丁酸对氧化铝进行羧基改性，然后采用水浴法，使用四...; 雷红陈晓宇张佩嘉陈是东胡晓刚杨瑞星张业盛李佳

含抛光活性元素的多孔纳米复合磨粒、抛光液组合物及其制备方法: 本发明涉及一种含抛光活性元素的多孔纳米复合磨粒、抛光液组合物及其制备方法。该复合磨粒为：a.由氧化硅与含有抛光活性元素的氧化物形成的复合氧化硅磨粒；b.由氧化铝与与含有抛光活性元素的氧化物形成的复合氧化铝磨粒。该复合磨粒...; 雷红陈入领蒋磊李虎陈思思王志军江冉冉

动压载荷下受限纳米水膜流动特性的分子动力学仿真研究被引量：2: 2016年; 利用分子动力学模拟方法探究了外加载荷作用下纳米尺度受限水膜的流动特性.仿真结果表明:受限空间内的水膜随着载荷的增加,其出现分层现象和黏度增加,当黏度超过一个临界值后,在分层和黏度增加共同作用下,水膜的流动状态将由层流和湍流的混合状态过渡到单一的层流状态.同时,随着受限空间壁面的切向运动,受限水膜均会出现边界滑移现象,且随着载荷的增加,滑移现象越发显著.但当水膜单一层流状态形成后,受限空间壁面的滑移速度,对水膜的边界滑移长度影响并不显著.; 陈入领王瑶雷红; 关键词：层流边界层分子动力学模拟

原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用: 本发明公开了一种原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用。本发明的原位形成微纳气泡的抛光液，是将硼氢化钠引入碱性硅溶胶抛光液中，形成新型的碱性抛光液。利用抛光区域的摩擦热来催化硼氢化钠的水解反应。并因晶片与抛光垫之间极...; 雷红徐磊丁如月张玮袁晓玥; 文献传递

氧化硅/氧化铁复合磨粒用于硬盘基片的抛光研究被引量：3: 2010年; 本文以HNO3、NaOH、Fe(NO3)3和SiO2浆料为原料,采用沉淀法制备了1种SiO2/Fe2O3复合磨粒,通过X射线衍射仪(XRD)、飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构进行表征,结果表明Fe2O3包覆到SiO2的表面,复合粒子具有很好的分散性.用UNIPOL-1502抛光机研究了所制备复合磨粒在镍磷敷镀的硬盘基片中的抛光性能,抛光后硬盘基片的表面粗糙度Ra由抛光前的8.87nm降至3.73nm;抛光后表面形貌的显微镜观测结果表明新制备的复合磨粒表现出较好的抛光性能.; 雷红司马能屠锡富布乃敬严琼林吴鑫; 关键词：化学机械抛光

化学机械抛光中的纳米级薄膜流动: 在简述化学机械抛光技术的基础上,提出化学机械抛光过程中,受载的粗糙峰和被抛光的晶片表面之间存在一纳米量级的薄流体膜,形成了纳米级薄膜流动系统。指出对纳米级流动规律进行研究将有助于了解化学机械抛光的作用机理,其中,在极薄的...; 张朝辉雒建斌雷红; 关键词：化学机械抛光平面度温度场; 文献传递

一种乙二胺四乙酸接枝氧化铈复合磨粒、其制备方法及其应用: 本发明公开了一种乙二胺四乙酸接枝氧化铈复合磨粒、其制备方法及应用，涉及抛光磨料生产技术领域，首先通过对纯氧化铈磨粒进行氨基改性处理，制得氨基改性的氧化铈磨粒，再对其进行乙二胺四乙酸接枝处理，制得乙二胺四乙酸接枝氧化铈复合...; 雷红袁晓玥陈是东张玮胡晓刚张佩嘉陈晓宇张业盛杨瑞星