马文全
- 作品数：64 被引量：48H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生核科学技术更多>>
- 基于InAs/GaSb二类超晶格材料的1-5微米红外探测器研究
- 本文采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb 衬底生长InAs/GaSb 二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(<2 微米),短波(2-3 微米)以及中波(3-5 微米)红外探测.在77 K 下,超短波范围内...
- 黄建亮马文全张艳华曹玉莲刘珂黄文军陆书龙
- 把二类超晶格探测器的探测波长推到1微米
- We report on a short wavelength p-i-n detector using InAs/GaAsSb type-Ⅱ superlattices(T2SL)with inserting AlSb...
- 张艳华马文全黄建亮曹玉莲刘珂黄文军赵成诚
- 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法
- 本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值<Image file="DDA0000483533920000011.GIF" he="...
- 李琼马文全张艳华黄建亮
- 文献传递
- 圆偏振光探测方法、装置、电子设备及存储介质
- 本公开提供了一种圆偏振光探测方法，应用于光探测技术领域，包括：获取不同外加偏压下探测器探测到的左圆偏振光电流和右圆偏振光电流，计算在每个该外加偏压下该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，基于每个该外加偏压下的该左圆...
- 吴静陈涌海曾晓琳赵成城黄建亮张艳华马文全
- 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法
- 一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层，形成外延片；对外...
- 曹玉莲马文全张艳华
- 文献传递
- Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法
- 本发明公开了一种InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法，包括：选择一衬底，作为外延层的承载体；在该衬底上外延生长缓冲层；降温，在该缓冲层上外延生长p型掺杂的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格层；在...
- 张艳华马文全曹玉莲
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- 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
- 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射...
- 杨晓杰马文全种明苏艳梅陈良惠
- 文献传递
- 两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法
- 一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs...
- 霍永恒马文全种明张艳华陈良惠
- 文献传递
- 兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构研究年度报告
- 2016年
- 含边缘元素的III-V族光电子合金材料是近些年逐渐兴起的一种新型材料系,开展相关研究的国家较少,这些合金的基本特性、合成以及器件应用等方面还存在很多未知,亟需推动。为此,该研究在含边缘元素的III-V族光电子材料的理论计算、合成实验与特性表征方面系统地开展基础创新研究。在理论研究方面,我们利用第一性原理重点计算了GaN1-xBix和InP1-xBix三元合金的电子结构与光学特性等,预测了Bi元素并入对合金物理性质的影响。在III-V族含硼材料的合成与特性表征方面,利用低压金属有机化学气相沉积技术,在GaAs上生长出了BGaAsB四元合金与BGaAsSb/GaAs MQW,明确了B并入对于Sb并入以及Ga As Sb/Ga As MQW光致发光特性的影响。基于InAs/GaSb二类超晶格实现短波、甚长波及窄带长波/甚长波双色红外探测器的研究,生长的材料具有极高的材料质量.短波探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为2.56μm,峰值探测率为1.3×1011cm·Hz1/2·W^(-1);中波探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为4.3μm,峰值探测率为2.4×1011 cm·Hz1/2·W^(-1);甚长波红外探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为14.5μm,量子效率为14%,热噪声限制的探测率为4.3×109 cm·Hz1/2 W^(-1).研究了分子束外延生长的中波、长波、甚长波波段的InAs/GaSb二类超晶格吸收层材料在77K和室温条件先非有意掺杂浓度、迁移率、导电率特性。发现随着温度的升高,分子束外延生长的中波、长波、甚长波红外吸收区材料都出现了导电类型由p型向n型的转变,其中中波、长波、甚长波样品的转变温度分别为210、140和85 K,相应的电子激活能为106、71和32 meV。
- 马文全张艳华徐应强王琦
- 关键词：含硼合金金属有机化学气相沉积中波
- InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算被引量：5
- 2007年
- 根据八带k.p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50μm蓝移到11.87μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04μm红移到1.73μm;随着量子点高度从1.0nm增加到5.0nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12μm(5.90μm)红移到53.47μm(31.87μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13μm(1.60μm)红移到1.27μm(2.01μm).
- 杨晓杰王青马文全陈良惠
- 关键词：INGAAS量子点
