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张艳华

作品数：40 被引量：18H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国航空科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 9篇会议论文
  • 7篇期刊文章

领域

  • 19篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 31篇探测器
  • 28篇红外
  • 20篇红外探测
  • 20篇红外探测器
  • 14篇超晶格
  • 12篇晶格
  • 12篇INAS/G...
  • 8篇光电
  • 8篇长波
  • 7篇量子阱红外探...
  • 7篇光电探测
  • 7篇光电探测器
  • 7篇半导体
  • 5篇量子点
  • 5篇红外光
  • 5篇波段
  • 5篇衬底
  • 4篇多量子阱
  • 4篇势垒
  • 4篇锑化物

机构

  • 40篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京邮电大学

作者

  • 40篇张艳华
  • 39篇马文全
  • 24篇黄建亮
  • 15篇曹玉莲
  • 9篇崔凯
  • 7篇郭晓璐
  • 7篇卫炀
  • 6篇霍永恒
  • 6篇种明
  • 6篇陈良惠
  • 6篇黄文军
  • 6篇刘珂
  • 3篇李琼
  • 2篇刘小宇
  • 2篇罗帅
  • 2篇杨涛
  • 1篇陈涌海
  • 1篇徐应强
  • 1篇王琦
  • 1篇邵军

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇航空兵器
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
长波,甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器
我们已经生长出质量极高的长波、甚长波超晶格材料,XRD 表明长波、甚长波p-i-n 型器件结构的X 射线双晶衍射卫星峰半高宽分别为17 和21 弧秒,应变都在10-4 量级,两个器件在77K温度下,50％截止波长分别为9...
张艳华马文全卫炀黄建亮曹玉莲崔凯郭晓璐
反转型太赫兹光电探测器及其制备方法
本公开提供一种反转型太赫兹光电探测器，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、第一势垒层、反转型超晶格吸收层、第二势垒层、盖层；其中，反转型超晶格吸收层包括周期性交叉叠设的InAs层和GaSb层，每一周期内叠设的InAs层...
张艳华马文全黄建亮
文献传递
10—14μm同时响应的双色量子阱红外探测器被引量：2
2010年
实现截止波长为11.8和14.5μm双色同时响应的量子阱红外探测器,可以同时工作在8—12μm大气窗口和甚长波波段.在77K下测量到很强的光电流谱.器件结构采取了较为简洁的设计,通过适当增大量子阱结构中势阱的宽度和选择合适的掺杂浓度,在同一偏压下实现了对两个波长的同时响应.两个光响应峰分别为基态到第五激发态和基态到第一激发态的跃迁吸收.
刘小宇马文全张艳华霍永恒种明陈良惠
关键词：量子阱红外探测器
GaSb/GaAs二型自组装量子点材料生长及光学性质
零维结构的量子点,能够在三个生长方向限制电子或空穴,具有独特的光学和电学性质,因此被广泛应用于激光器、探测器以及存储器的研究中。相对于研究较为成熟的一型异质结构(type-Ⅰ)InAs/GaAs量子点体系,GaSb/Ga...
崔凯马文全卫炀黄建亮张艳华曹玉莲郭晓璐
关键词：量子点材料光电性质
含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器被引量：1
2016年
本文报道了采用分子束外延技术制备的三色In As/Ga As量子点红外探测器.器件采用nin型结构,吸收区结构是在In Ga As量子阱中生长含有Al Ga As插入层的In As量子点,器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值:6.3,10.2和11μm.文中分析了它们的跃迁机制,并且分别进行了指认.因为有源区采用了不对称结构,所以器件在外加偏压正负方向不同时,光电流谱峰值的强度存在一些差异.不论在正偏压或者负偏压下,当偏压达到较高值,再进一步增大偏压时,都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象,这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的.
刘珂马文全黄建亮张艳华曹玉莲黄文军赵成城
关键词：量子点红外探测器光电流谱分子束外延
基于InAs/GaSb二类超晶格材料的1-5微米红外探测器研究
本文采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb 衬底生长InAs/GaSb 二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(<2 微米),短波(2-3 微米)以及中波(3-5 微米)红外探测.在77 K 下,超短波范围内...
黄建亮马文全张艳华曹玉莲刘珂黄文军陆书龙
把二类超晶格探测器的探测波长推到1微米
We report on a short wavelength p-i-n detector using InAs/GaAsSb type-Ⅱ superlattices(T2SL)with inserting AlSb...
张艳华马文全黄建亮曹玉莲刘珂黄文军赵成诚
近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法
本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值<Image file="DDA0000483533920000011.GIF" he="...
李琼马文全张艳华黄建亮
文献传递
圆偏振光探测方法、装置、电子设备及存储介质
本公开提供了一种圆偏振光探测方法，应用于光探测技术领域，包括：获取不同外加偏压下探测器探测到的左圆偏振光电流和右圆偏振光电流，计算在每个该外加偏压下该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，基于每个该外加偏压下的该左圆...
吴静陈涌海曾晓琳赵成城黄建亮张艳华马文全
钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法
一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层，形成外延片；对外...
曹玉莲马文全张艳华
文献传递
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