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锑化物二类超晶格红外探测器被引量：3: 2019年; 本文主要展示了近几年来该课题小组在InAs/GaSb二类超晶格红外探测器领域取得的一些研究成果,如在短波波段(1～3μm)、中波波段(3～5μm)、长波波段(8～12μm)、甚长波波段(>14μm)等单色器件的成果,以及双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器方面的成果,如短/中波双色、短波/甚长波双色,长波/甚长波双色红外探测器等单管器件。除此之外,还展示了384×288中波波段InAs/GaSb二类超晶格红外焦平面探测器组件。; 黄建亮张艳华张艳华黄文军曹玉莲卫炀黄文军郭晓璐李琼卫炀崔凯; 关键词：INAS/GASB 焦平面阵列红外探测器

长波及窄带双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器: 我们已经生长出质量极高的两种不同界面类型的长波超晶格材料，其中InSb界面类型和混合界面类型的长波p-i-n型器件结构的X射线双晶衍射卫星峰半宽分别为24和17弧秒(图1)，应变在10-4量级，材料的XRD半宽是目前世界...; 张艳华马文全卫炀黄建亮曹玉莲崔凯郭晓璐

长波,甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器: 我们已经生长出质量极高的长波、甚长波超晶格材料,XRD 表明长波、甚长波p-i-n 型器件结构的X 射线双晶衍射卫星峰半高宽分别为17 和21 弧秒,应变都在10-4 量级,两个器件在77K温度下,50％截止波长分别为9...; 张艳华马文全卫炀黄建亮曹玉莲崔凯郭晓璐

甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法: 本发明公开了一种制备甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的方法，该方法是在半绝缘GaSb衬底上依次生长P型掺杂的GaSb缓冲层、P型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层、非掺杂的甚长波InAs/GaSb二...; 卫炀马文全张艳华曹玉莲; 文献传递

两端叠层结构的中长波量子阱红外探测器被引量：5: 2011年; 采用分子束外延技术生长了两个叠层结构的双色量子阱红外探测器结构,并经过光刻和湿法刻蚀制作成两端结构的量子阱红外探测器单元器件.通过改变量子阱势垒高度,势阱宽度,掺杂浓度,重复周期数等器件参数,可以使总电压在两个叠层之间产生适当的分布,从而使器件表现出不同的电压响应特点.光电流谱测量显示,器件1随着外加偏置电压可实现对于中波大气红外窗口(3—5μm)和长波大气红外窗口(8—12μm)红外响应的切换,器件2在不同的偏置电压下可以对这两个波段同时做出响应.本文探讨了两端叠层结构量子阱红外探测器的工作原理,将其归结为探测器光导增益随偏置电压增大先增大后减小的变化,以及总外加偏置电压在两个多量子阱层之间的不同分布,重点对于器件1的电压调制特征进行了分析.同每个单元器件制作三个电极的三端结构相比,两端结构能够使双色量子阱红外探测器的器件工艺大为简化,并且无需制作专门的双色读出电路,从而可以降低成本,并能提高面阵器件的填充因子.; 霍永恒马文全张艳华黄建亮卫炀崔凯陈良惠; 关键词：量子阱红外探测器双波段

InAs/In_x Ga_(1-x)Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究: 2010年; 运用包络函数模型和传输矩阵方法计算了二类超晶格的能级结构.考虑到InAs与InxGa1-xSb结合存在应变,在计算中InAs/InxGa1-xSb二类超晶格的带阶采用模型固体理论处理.因为吸收系数与电子-空穴波函数交叠成正比,所以研究了InAs/InxGa1-xSb二类超晶格红外探测器的吸收波长和电子-空穴波函数交叠与InAs层厚度,InxGa1-xSb层厚度,In组分之间和周期数的关系.结果表明,吸收波长随InAs层厚度的增大而增大,随InxGa1-xSb层厚度增大而增大,随In组分增加而增大,随周期数的增大,先减小后不变.而电子-空穴波函数的交叠随InAs层厚度的增大而减小,随InxGa1-xSb层厚度增大也减小,随In组分增加而稍微增大,随周期数的增大,先增大后缓慢增加,然后基本上保持不变.另外,发现在相同的吸收波长下,InAs层的厚度与InxGa1-xSb层的厚度的比值越大,波函数的交叠也越大.; 黄建亮卫炀马文全杨涛陈良惠; 关键词：红外探测器传输矩阵

GaSb/GaAs二型自组装量子点材料生长及光学性质: 零维结构的量子点,能够在三个生长方向限制电子或空穴,具有独特的光学和电学性质,因此被广泛应用于激光器、探测器以及存储器的研究中。相对于研究较为成熟的一型异质结构(type-Ⅰ)InAs/GaAs量子点体系,GaSb/Ga...; 崔凯马文全卫炀黄建亮张艳华曹玉莲郭晓璐; 关键词：量子点材料光电性质

长波和甚长波及其双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究进展被引量：6: 2014年; 本文报道了基于InAs/GaSb二类超晶格实现长波、甚长波及窄带长波/甚长波双色红外探测器的研究,生长的材料具有极高的材料质量.长波探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为9.6μm,峰值响应为3.2 A/W,峰值量子效率为51.6%;甚长波红外探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为14.5μm,量子效率为14%,热噪声限制的探测率为4.3×109 cm Hz1/2 W-1.通过改变偏压极性实现双色探测的窄带型长波/甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器两端器件,偏压小于0 V时在长波区工作,偏压大于40 mV时,在甚长波区工作.具体来说,偏压为-0.1 V时,器件光响应50%截止波长为10μm;而偏压为40 mV时,器件光响应50%截止波长为16μm.对于长波光响应,δλ/λ为44%,对于甚长波响应,δλ/λ为46%.甚长波对长波的串音为9.9%,长波对甚长波的串音为11.8%.; 张艳华马文全卫炀黄建亮曹玉莲崔凯郭晓璐邵军; 关键词：INAS 红外探测器长波

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卫炀