高海永
- 作品数：22 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- Si基ZnO缓冲层溅射Ga_2O_3氨化反应生长GaN薄膜
- 2005年
- 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜。利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长。
- 王书运庄惠照高海永
- 关键词：氨化射频磁控溅射透射电镜
- RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒被引量：2
- 2005年
- 利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。X射线衍射(XRD)测量结果表明,利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外透射谱(FTIR)及选区电子衍射(SAED)观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构。研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制。
- 胡丽君庄惠照高海永何建廷薛守斌薛成山
- 关键词：射频磁控溅射氨化
- 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
- 一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸+氟化氨+H<Sub>2</Sub>O混合液，将光刻图...
- 闫发旺高海永张扬李晋闽曾一平王国宏张会肖
- 文献传递
- 磁控溅射制作金红石——TiO_2被引量：2
- 2003年
- 用磁控溅射方法制备了粒径大小为20nm的金红石———TiO2,用X射线(XRD)和扫描电镜(SEM)观察表面形貌,局部表观致密,颗粒大小均匀。
- 郭兴龙于先进薛成山董志华高海永
- 关键词：磁控溅射金红石TIO2
- 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法
- 本发明一种高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上淀积一层金属薄层；步骤2：进行退火处理，使金属薄层自组织形成无定形的、微米尺度的金属掩膜的图形；步骤3：进行干法刻蚀，将...
- 张扬闫发旺高海永曾一平王国宏张会肖李晋闽
- 文献传递
- ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文)被引量：2
- 2005年
- 通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌。通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响。
- 庄惠照高海永薛成山董志华
- 关键词：氨化挥发射频磁控溅射
- 合成GaN粗晶体棒的研究被引量：2
- 2005年
- 利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。
- 董志华薛成山庄惠照王书运高海永田德恒吴玉新何建廷刘亦安
- 关键词：磁控溅射自组装反应
- Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反应制备GaN薄膜被引量：3
- 2004年
- 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga_2O_3薄膜,然后ZnO/Ga_2O_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜。XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用SEM和TEM观测了薄膜形貌,PL测量结果发现了位于350nm和421nm处的室温光致发光峰。
- 庄惠照高海永薛成山王书运董志华
- 关键词：氨化射频磁控溅射
- 氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响被引量：1
- 2004年
- 采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配。同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。
- 曹文田孙振翠魏芹芹薛成山庄惠照高海永
- 关键词：射频磁控溅射半导体
- 竹叶状GaN纳米带的制备被引量：1
- 2004年
- 为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1000℃下常压通氨气进行氨化。在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带。XRD分析结果表明GaN纳米带为六方纤锌矿结构,利用SEM观测GaN纳米带具有竹叶状形貌,PL谱测量发现了位于370nm处和460nm处的室温光致发光峰。
- 高海永庄惠照薛成山王书运董志华何建廷
- 关键词：半导体材料氨化挥发
