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高蔚

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇GAAS
  • 3篇量子
  • 2篇晶格
  • 2篇GA
  • 2篇超晶格
  • 2篇超晶格量子阱
  • 1篇导体
  • 1篇调制
  • 1篇调制掺杂
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇应变超晶格
  • 1篇应变多量子阱
  • 1篇杂质态
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇双量子阱
  • 1篇子阵
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇光调制

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇高蔚
  • 3篇陈辰嘉
  • 1篇王学忠
  • 1篇瞿明

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇物理

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
半导体超晶格量子阱GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As及应变超晶格In<,x>GaAs光调制反射谱研究
高蔚
半导体超晶格量子阱GaAs/AlhGa1-xAs及应变超品格InGa1-As/GaAs 光调制反射谱的研究
高蔚
关键词：调制掺杂光调制
半磁半导体的输运性质和杂质态
1992年
半磁半导体是一类新型的半导体材料．本文主要阐述ｓｐ－ｄ交换相互作用对半磁半导体（ＳＭＳｃ）中输运特性和杂质行为的影响，讨论了量子输运特性，巨大负磁阻效应，磁场感生的金属─绝缘体转变等一系列新的物理效应以及束缚磁极化子的形成．
陈辰嘉高蔚
关键词：SMSCDMS输运
非对称GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As双量子阱的光学特性和光学非线性
1993年
报道用光调制反射谱和光致发光方法对非对称的GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As耦合双量子阱研究的实验结果。在300K和77K下测量了光调制反射谱,对实验结果的线形拟合确认了在双量子阱中分别对应子能级11H、11L、13H、22H等的跃迁,并与理论计算结果作了比较。以氩离子激光器488nm激发测量了双量子阱中基态(n=1)荧光峰强度随激发光密度的变化,研究了其非线性效应。用632.8nm激光在弱激发下测量了3.8～300K范围内相应荧光峰随温度的变化,对实验结果作了分析讨论。
陈辰嘉王学忠高蔚黄德平米立志
关键词：双量子阱光致发光非线性光学
In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究
1995年
对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．
陈辰嘉高蔚米立志黄德平瞿明
关键词：应变多量子阱
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