瞿明
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究
- 1995年
- 对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．
- 陈辰嘉高蔚米立志黄德平瞿明
- 关键词：应变多量子阱
- 半磁半导体的磁性质
- 1990年
- 半磁半导体是一类新型的半导体．本文主要阐述半磁半导体中磁的基本性质和描述方法，讨论了顺磁态的半磁半导体和反铁磁相互作用集团的形成，并介绍了顺磁－目旋玻璃的相变．
- 陈辰嘉瞿明
- 关键词：半磁半导体磁性质
- 稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS磁化率的研究
- 1992年
- 用振动样品磁强计和提拉法在1.5K≤T≤300K温度范围内系统测量了组分为0.03≤x≤0.45的Cd_(1-x)Mn_xS稀磁半导体单晶样品的磁化率.磁化率测量表明在高温区服从居里-外斯定律。从定量分析得到Mn^(++)离子间交换积分常数值.低场磁化率与温度变化规律(最低温度达1.5K)表明当样品x≤0.2时,体系仍然为顺磁态;而当样品组分x=0.3时,经零场冷却后磁化率在温度T_f处观测到一个尖峰,对x>0.3样品亦得到类似结果,只是磁化率在不同冻结温度T_f处对应一个较宽的峰。这些结果说明在低温区发生从顺磁态到自旋玻璃态的相变.文中给出Cd_(1-x)Mn_sS的磁相图并对此作了讨论.
- 陈辰嘉瞿明胡巍张昕马可军W.Giriat
- 关键词：稀磁半导体磁化率
- Cd_(1-x)Sm_xTe光学和磁性质的研究
- 1991年
- 用改进的Bridgman方法首次生长了Cd_(1-x)Sm_xTe(x=0.0005,0.005,0.01,0.05)晶体。用光荧光方法测量了样品在液氮下的光致发光谱,并用提拉法在温度1.5K下、磁场强度直到7T范围测量了磁化强度。实验表明随着标称组份的增加,发光峰向短波方向移动,与晶格常数变小趋势相对应·讨论与分析稀土元素离子与过渡族元素离子的磁性差别。
- 陈辰嘉瞿明史守旭唐晓东马可军
- 关键词：稀土离子光致发光磁化
