魏星
- 作品数：59 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 微结构保角性转移方法
- 本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者B...
- 狄增峰郭庆磊张苗魏星薛忠营母志强戴佳赟
- 文献传递
- 一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
- 本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件，其中，所述栅控二极管ESD保护器件包括：正极、负极、沟道、栅介质层和栅极；所述正极和负极分别位...
- 黄晓橹魏星程新红陈静张苗王曦
- 文献传递
- 一种可控石墨烯阵列的制备方法
- 本发明提供一种可控石墨烯阵列的制备方法，采用晶向相同的两硅衬底进行小角度键合形成方形网格状的螺旋位错，由于位错引起硅表面应力分布不均，利用应力选择性腐蚀，对位错线影响的垂向对应的区域进行刻蚀，形成正方形网格状的图形化硅岛...
- 狄增峰陈龙王刚魏星张苗王曦
- 文献传递
- 一种表征硅晶体中缺陷的方法
- 本申请公开了一种表征硅晶体中缺陷的方法，所述方法包括：对硅晶体的表面进行蚀刻，以去除目标厚度的硅晶体；对蚀刻后的所述硅晶体的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度...
- 魏星刘赟薛忠营
- 文献传递
- 四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法
- 一种四周环绕栅极鳍栅晶体管器件，包括：衬底；于衬底表面依次设置的绝缘层与半导体层，所述绝缘层靠近半导体层的表面具有一凹陷，所述半导体层包括位于凹陷处上方的悬空部分；栅介质层，所述栅介质层环绕半导体层位于凹槽上方的悬空部分...
- 王曦魏星
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- 300 mm硅片技术发展趋势探讨
- 2022年
- 单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及困难进行分析。针对每种器件应用场景,本文从晶体生长、掺杂、热处理等方面对提高硅片性能要求的技术发展进行了简要阐述与分析。最后,简单介绍了上海硅产业集团在300 mm硅片制造技术方面的研发进展。
- 刘赟薛忠营魏星魏星
- 关键词：单晶硅
- 带移动保温的单晶生长设备及单晶生长方法
- 本发明提供一种带移动保温的单晶生长设备及方法。设备包括炉体、坩埚、侧加热器、底加热器、导流筒、水冷套、坩埚支撑装置、侧保温层、底保温层及保温层移动装置；侧加热器位于坩埚的周向外侧，底加热器位于坩埚的底部，导流筒自坩埚的外...
- 陈松松张楠薛忠营魏星
- 文献传递
- 一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法
- 本发明涉及一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法，本发明控制硅片中的氧含量与电阻率匹配，实现完成器件制造后硅衬底导电类型不发生转变，且具有高的电阻率；可定氧含量改变掺杂量或定电阻率改变氧含量或两者同时改变，灵活操作...
- 魏星李名浩戴荣旺汪子文薛忠营
- 一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法
- 本发明提供一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>层，并使所述Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</...
- 薛忠营张苗狄增峰魏星陈达
- 文献传递
- 两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究被引量：1
- 2010年
- 研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第二步注入剂量为3×1015cm-2的改进型两步氧离子注入工艺,用于制备高质量的SIMOX材料.与单步氧离子注入工艺的剂量窗口相比,注入剂量减少了18.2%.采用椭圆偏振测试仪测量了所制备样品的埋氧层厚度及均匀性.通过透射电子显微镜观察到无缺陷的顶层硅以及原子级陡峭的顶层硅/埋氧层界面,表明两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料具有高的顶层硅晶体质量和剖面结构.采用原子力显微镜对比研究了单步和两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料顶层硅/埋氧层界面形貌.
- 魏星薛忠营武爱民王湘李显元叶斐陈杰陈猛张波林成鲁张苗王曦
- 关键词：界面形貌注氧隔离
