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龚亮

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信冶金工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇冶金工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 1篇英文
  • 1篇应变量
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇有限差分
  • 1篇有限差分法
  • 1篇数值模拟
  • 1篇数值模拟研究
  • 1篇热力学
  • 1篇微波
  • 1篇量子
  • 1篇函数
  • 1篇函数法
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇包络
  • 1篇XGA
  • 1篇ZNO
  • 1篇GAAS量子...

机构

  • 3篇南开大学

作者

  • 3篇龚亮
  • 2篇邢晓东
  • 2篇曹雪
  • 2篇舒永春
  • 2篇皮彪
  • 2篇叶志成
  • 2篇姚江宏
  • 2篇许京军

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇Transa...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料分子束外延的生长热力学(英文)
2011年
建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InAsP/InP的数据吻合得很好。将晶格应变能△G及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数。热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素。讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型。
叶志成舒永春曹雪龚亮皮彪姚江宏邢晓东许京军
关键词：半导体材料热力学
In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响被引量：6
2011年
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。
叶志成舒永春曹雪龚亮姚江宏皮彪邢晓东许京军
关键词：分子束外延INGAAS/GAAS应变量子阱
量子点结构与微波烧结粉体ZnO的数值模拟研究
这篇论文“量子点结构与微波烧结粉体ZnO的数值模拟研究”，主要是利用Matlab数值软件编程实现了量子点电子结构的数值求解，模拟结果与相关文献进行对比分析，论证了模型与程序的合理有效性，并结合与量子点性质相关的公式推导进...
龚亮
关键词：有限差分法
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