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刘新军

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇RRAM
  • 5篇电阻
  • 5篇存储器
  • 4篇氧化物
  • 4篇随机存储器
  • 3篇电压
  • 3篇元器件
  • 3篇金属
  • 2篇单极性
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇导电性
  • 2篇电极
  • 2篇电极材料
  • 2篇电压扫描
  • 2篇多层结构
  • 2篇多层膜
  • 2篇氧化还原反应
  • 2篇石英玻璃
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇刘新军
  • 9篇李效民
  • 8篇曹逊
  • 7篇于伟东
  • 7篇张亦文
  • 7篇杨蕊
  • 5篇杨长
  • 4篇王群
  • 2篇陈立东
  • 2篇高相东

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元
本发明涉及一种电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM的存储单元，在衬底上依次形成底电极层、阻变氧化物层和顶电极层，其特征在于在阻变氧化物层和顶电极层在界面处形成一储氧层，提供氧离子存储和释放，所构成的存储单元为多层膜...
李效民曹逊高相东张亦文刘新军
文献传递
一类氧化物多层梯度薄膜及其构建的RRAM元器件
本发明提供一种用于电阻式随机存取存储器(RRAM)元器件的氧化物多层梯度薄膜，所述的梯度薄膜具有电阻转变特性，所述的氧化物多层梯度薄膜具有电阻转变特性，其组成通式为：MO<Sub>x－δ</Sub>/MO<Sub>x－δ...
李效民刘新军王群曹逊杨蕊于伟东陈立东
文献传递
金属-过渡金属氧化物-金属三明治结构RRAM器件的制备、表征及应用
自2000年Liu等提出阻变存储器(RRAM)概念以来，RRAM以其结构简单、读/写速度快、存储密度高、功耗低、无串扰等独特的优点，迅速成为物理学和材料学研究的热点。RRAM是一种全新的存储技术，对其氧化物材料中电脉冲诱...
刘新军
关键词：脉冲激光沉积电子束蒸发
电阻式随机存储器用合金电极材料及其制备技术
本发明涉及一种电阻式随机存储器用合金电极材料和制备技术。本发明的目的是通过采用合金化的方法，提高电极材料与电阻记忆薄膜的接触电阻，改善存储器的存储性能。电极合金化的主要依据是材料的功函数、化学活性、互溶度以及与氧化物的结...
于伟东李效民杨蕊刘新军王群陈立东
文献传递
电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控
本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极。顶...
李效民杨蕊于伟东刘新军曹逊王群张亦文杨长
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用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法
本发明涉及一种用于电阻式存储器的本征及掺杂钛酸锶薄膜电诱发电阻材料及其制备方法。提供了具有电诱发电阻转变特性的本征及掺杂钛酸锶SrA<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1－x</Sub>O<Sub>3</Sub>及制备...
张亦文于伟东李效民刘新军曹逊杨蕊杨长
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电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元
本发明涉及一种电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM的存储单元，在衬底上依次形成底电极层、阻变氧化物层和顶电极层，其特征在于在阻变氧化物层和顶电极层在界面处形成一储氧层，提供氧离子存储和释放，所构成的存储单元为多层膜...
李效民曹逊高相东张亦文刘新军
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氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件及制作方法
本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜...
李效民曹逊于伟东杨长张亦文刘新军杨蕊
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电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控
本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极。顶...
李效民杨蕊于伟东刘新军曹逊王群张亦文杨长
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氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件及制作方法
本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜...
李效民曹逊于伟东杨长张亦文刘新军杨蕊
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