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刘新军
作品数:
10
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供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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相关领域:
一般工业技术
自动化与计算机技术
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合作作者
李效民
中国科学院上海硅酸盐研究所
曹逊
中国科学院上海硅酸盐研究所
杨蕊
中国科学院上海硅酸盐研究所
张亦文
中国科学院上海硅酸盐研究所
于伟东
中国科学院上海硅酸盐研究所
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机构
10篇
中国科学院
作者
10篇
刘新军
9篇
李效民
8篇
曹逊
7篇
于伟东
7篇
张亦文
7篇
杨蕊
5篇
杨长
4篇
王群
2篇
陈立东
2篇
高相东
年份
1篇
2013
2篇
2011
3篇
2010
3篇
2009
1篇
2008
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电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元
本发明涉及一种电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM的存储单元,在衬底上依次形成底电极层、阻变氧化物层和顶电极层,其特征在于在阻变氧化物层和顶电极层在界面处形成一储氧层,提供氧离子存储和释放,所构成的存储单元为多层膜...
李效民
曹逊
高相东
张亦文
刘新军
文献传递
一类氧化物多层梯度薄膜及其构建的RRAM元器件
本发明提供一种用于电阻式随机存取存储器(RRAM)元器件的氧化物多层梯度薄膜,所述的梯度薄膜具有电阻转变特性,所述的氧化物多层梯度薄膜具有电阻转变特性,其组成通式为:MO<Sub>x-δ</Sub>/MO<Sub>x-δ...
李效民
刘新军
王群
曹逊
杨蕊
于伟东
陈立东
文献传递
金属-过渡金属氧化物-金属三明治结构RRAM器件的制备、表征及应用
自2000年Liu等提出阻变存储器(RRAM)概念以来,RRAM以其结构简单、读/写速度快、存储密度高、功耗低、无串扰等独特的优点,迅速成为物理学和材料学研究的热点。RRAM是一种全新的存储技术,对其氧化物材料中电脉冲诱...
刘新军
关键词:
脉冲激光沉积
电子束蒸发
电阻式随机存储器用合金电极材料及其制备技术
本发明涉及一种电阻式随机存储器用合金电极材料和制备技术。本发明的目的是通过采用合金化的方法,提高电极材料与电阻记忆薄膜的接触电阻,改善存储器的存储性能。电极合金化的主要依据是材料的功函数、化学活性、互溶度以及与氧化物的结...
于伟东
李效民
杨蕊
刘新军
王群
陈立东
文献传递
电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控
本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法,包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变,所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构,包括顶电极、阻变层和底电极。顶...
李效民
杨蕊
于伟东
刘新军
曹逊
王群
张亦文
杨长
文献传递
用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法
本发明涉及一种用于电阻式存储器的本征及掺杂钛酸锶薄膜电诱发电阻材料及其制备方法。提供了具有电诱发电阻转变特性的本征及掺杂钛酸锶SrA<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1-x</Sub>O<Sub>3</Sub>及制备...
张亦文
于伟东
李效民
刘新军
曹逊
杨蕊
杨长
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电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元
本发明涉及一种电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM的存储单元,在衬底上依次形成底电极层、阻变氧化物层和顶电极层,其特征在于在阻变氧化物层和顶电极层在界面处形成一储氧层,提供氧离子存储和释放,所构成的存储单元为多层膜...
李效民
曹逊
高相东
张亦文
刘新军
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氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件及制作方法
本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中,电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜...
李效民
曹逊
于伟东
杨长
张亦文
刘新军
杨蕊
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电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控
本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法,包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变,所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构,包括顶电极、阻变层和底电极。顶...
李效民
杨蕊
于伟东
刘新军
曹逊
王群
张亦文
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氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件及制作方法
本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中,电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜...
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