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杨蕊

作品数：8 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 6篇电阻
  • 4篇随机存储器
  • 4篇存储器
  • 3篇电压
  • 3篇元器件
  • 3篇RRAM
  • 2篇单极性
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇导电性
  • 2篇电极
  • 2篇电极材料
  • 2篇电压扫描
  • 2篇石英玻璃
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇稀土锰氧化物
  • 2篇锰氧化物
  • 2篇金属
  • 2篇活泼
  • 2篇活泼金属

机构

  • 8篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 8篇李效民
  • 8篇杨蕊
  • 7篇于伟东
  • 7篇刘新军
  • 7篇曹逊
  • 5篇王群
  • 5篇张亦文
  • 5篇杨长
  • 2篇陈立东
  • 1篇陈立东
  • 1篇刘新军

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一类氧化物多层梯度薄膜及其构建的RRAM元器件
本发明提供一种用于电阻式随机存取存储器(RRAM)元器件的氧化物多层梯度薄膜，所述的梯度薄膜具有电阻转变特性，所述的氧化物多层梯度薄膜具有电阻转变特性，其组成通式为：MO<Sub>x－δ</Sub>/MO<Sub>x－δ...
李效民刘新军王群曹逊杨蕊于伟东陈立东
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电阻式随机存储器用合金电极材料及其制备技术
本发明涉及一种电阻式随机存储器用合金电极材料和制备技术。本发明的目的是通过采用合金化的方法，提高电极材料与电阻记忆薄膜的接触电阻，改善存储器的存储性能。电极合金化的主要依据是材料的功函数、化学活性、互溶度以及与氧化物的结...
于伟东李效民杨蕊刘新军王群陈立东
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电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控
本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极。顶...
李效民杨蕊于伟东刘新军曹逊王群张亦文杨长
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Ti/La0.7Ca0.3MnO3/Pt结构器件中“负”电阻开关特性研究被引量：4
2010年
以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的Ti/La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)/Pt结构器件.X射线衍射分析表明LCMO薄膜呈纳米晶或非晶态,扫描电子显微镜及原子力显微镜分析表明LCMO薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明Ti/LCMO/Pt结构具有明显的双极型"负"电阻转变特性,低电阻态的导电过程为空间电荷限制电流机制,高电阻态的导电过程为Poole-Frenkel发射机制.利用氧化还原反应的随机性和TiOx中间层空间分布的不均匀性,定性地解释了高电阻态的不稳定性以及电流-电压曲线上的电流突变现象.
刘新军李效民王群杨蕊曹逊陈立东
关键词：脉冲激光沉积法电阻开关
用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法
本发明涉及一种用于电阻式存储器的本征及掺杂钛酸锶薄膜电诱发电阻材料及其制备方法。提供了具有电诱发电阻转变特性的本征及掺杂钛酸锶SrA<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1－x</Sub>O<Sub>3</Sub>及制备...
张亦文于伟东李效民刘新军曹逊杨蕊杨长
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氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件及制作方法
本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜...
李效民曹逊于伟东杨长张亦文刘新军杨蕊
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电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控
本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极。顶...
李效民杨蕊于伟东刘新军曹逊王群张亦文杨长
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氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件及制作方法
本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜...
李效民曹逊于伟东杨长张亦文刘新军杨蕊
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