卢冲赢
- 作品数：10 被引量：7H指数：1
- 供职机构：北京理工大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 抗过载片上集成MEMS悬浮螺旋电感被引量：1
- 2015年
- 针对微机电系统(MEMS)悬浮电感机械性能较差问题,设计了一种应用于高过载环境的片上集成MEMS悬浮螺旋电感。通过采用一种新颖的阶梯式螺旋线圈结构,有效减小了悬浮线圈在高过载环境中的变形与应力。利用ANSYS和HFSS软件对设计的电感力学性能和射频性能进行联合仿真。仿真结果表明,采用阶梯式螺旋线圈的MEMS悬浮电感的抗过载能力比采用等截面线圈的传统MEMS悬浮电感提高了近3倍,并且具有相当的射频性能;与增加了支撑柱的等截面MEMS悬浮电感相比,所设计的MEMS悬浮电感具有与之相当的力学性能,但是其射频性能明显优于增加了支撑柱的电感。
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- 关键词：微机电系统过载
- 一种Pt电阻温度传感器的制造方法
- 本发明公开了一种Pt电阻温度传感器的制造方法，包括以下步骤：1）在陶瓷衬底上涂覆SU-8光刻胶，光刻出微结构图形；2）在光刻完成的陶瓷基片上用磁控溅射的方法沉积Pt金属；3）将上述得到的陶瓷基片在O<Sub>2</Sub...
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- 文献传递
- 一种CMOS集成MEMS片上螺旋电感设计与仿真被引量：1
- 2012年
- 设计了一种与CMOS工艺兼容的MEMS片上螺旋电感。电感为矩形平面螺旋线圈结构,并采用电导率较高的铜代替铝制作线圈。利用MEMS技术设计了厚金属线圈,同时在CMOS级低阻硅衬底中刻蚀空腔,减小了线圈的串联电阻和衬底损耗,提高了电感的Q值。设计了与CMOS工艺相兼容的低温MEMS工艺和基于该工艺的1nH电感模型。使用HFSS软件对该电感模型进行仿真,结果表明,该电感在仿真频率为6.6GHz和10GHz时Q值分别达到了22.37和20.74,且自谐振频率大于20GHz,较传统的CMOS片上集成电感有明显改善;同时随着电感线圈厚度的增加,电感的Q值增加,而电感值(L值)则减小,且在仿真频段内电感值的变化小于5.5%。
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- 关键词：MEMS片上螺旋电感Q值
- 阶梯梁式高Q值抗过载MEMS悬浮电感
- 本发明公开了一种阶梯梁式高Q值抗过载MEMS悬浮电感。电感由阶梯梁式悬浮螺旋线圈、电连接立柱和引线组成，通过采用阶梯式线圈导线改善了MEMS悬浮电感的抗过载性能。制作工艺为：清洗基片；基片背面溅射Cr，涂光刻胶，图形化后...
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- 文献传递
- 一种正负胶工艺结合的微带线制造方法
- 本发明公开了一种正负胶工艺结合的微带线的制造方法，包括以下步骤：1）在玻璃片或者硅片上旋涂一层正胶作为器件释放的牺牲层；2）在正胶上用磁控溅射工艺沉积一层Cu金属作为电镀的种子层；3）在上述的Cu种子层上涂正胶，并光刻；...
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- 文献传递
- MEMS层叠式硅基微带天线设计与仿真
- 2010年
- 针对引信设计中的天线小型化问题,设计了一种易于与集成电路集成的硅基层叠式微带贴片天线.该天线的设计结合MEMS工艺,通过在硅介质中增加空气腔结构和改变同轴线内导体芯径的途径,改善了微带天线介质基板的等效介电常数和天线的阻抗特性,有效地增大了天线的带宽.HFSS仿真结果表明,与未采用空气腔结构和改变同轴线内导体芯径的普通硅基微带贴片天线相比,MEMS层叠式硅基微带天线的相对带宽由4%增加到18.4%(驻波比VSWR<2),达到了引信设计的性能要求.
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- 关键词：MEMS微带天线引信带宽增益
- 一种抗过载非硅MEMS厚金属悬空微电感
- 本发明公开了一种抗过载非硅MEMS厚金属悬空微电感。MEMS悬空微电感的悬空高度为20μm，悬空金属螺旋线圈金属层厚度为20μm，在悬空金属螺旋线圈和基片之间增加了支撑柱来改善线圈的抗过载能力，支撑柱布置于线圈对角线位置...
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- 文献传递
- 一种基于圆盘微机械谐振器的PM2.5颗粒物检测装置
- 本发明公开一种基于圆盘微机械谐振器的PM2.5颗粒物检测装置。基于氮化铝圆盘谐振器的平面谐振模态，提出一种新的PM2.5颗粒物质量法检测机理，通过检测沉积颗粒物条件下圆盘谐振器谐振频率的变化，检测空气中PM2.5颗粒物浓...
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- 阶梯梁式高Q值抗过载MEMS悬浮电感
- 本发明公开了一种阶梯梁式高Q值抗过载MEMS悬浮电感。电感由阶梯梁式悬浮螺旋线圈、电连接立柱和引线组成，通过采用阶梯式线圈导线改善了MEMS悬浮电感的抗过载性能。制作工艺为：清洗基片；基片背面溅射Cr，涂光刻胶，图形化后...
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- 文献传递
- CMOS兼容高Q值微机电系统悬浮片上螺旋电感被引量：6
- 2014年
- 利用微机电系统（MEMS）表面微加工技术设计并制作了一种应用于无线电引信射频前端的CMOS兼容高Q值悬浮片上螺旋电感.电感的制作工艺在热预算和材料选择上均具有良好的CMOS兼容特性.通过采用铜金属悬浮线圈结构减小了片上螺旋电感损耗因素,显著提高了片上螺旋电感Q值.采用电磁场有限元分析软件HFSS对该电感模型进行了仿真研究,完成了悬浮片上螺旋电感的制备并进行了测量.测量结果表明：所设计的CMOS兼容MEMS悬浮片上螺旋电感Q值在1～7.6GHz测量频段均大于20,在7.4 GHz频段最大值达到了38.
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- 关键词：微机电系统Q值无线电引信
