叶小琴
- 作品数：7 被引量：12H指数：1
- 供职机构：山西大学物理电子工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理理学电子电信更多>>
- 氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究
- 2005年
- 采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高 质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用X射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到 的表面形貌,并采用扩散法和正面引电极的方法初步探索了电池的制备工艺,电池的开路电压达到196mV,短 路电流为200μA。
- 顾亚华许颖叶小琴李海峰万之坚周宏余
- 关键词：陶瓷晶向
- RTCVD制备多晶硅薄膜的研究
- 陶瓷衬底上的多晶硅薄膜电池是一种以降低成本为目标的新型太阳电池,具有很好的应用前景.薄膜的制备是薄膜电池制备中的重要步骤之一,薄膜的质量直接影响到电池的结果.为了掌握薄膜生长的规律,进而得到优良的多晶硅薄膜,该文运用RT...
- 叶小琴
- 关键词：太阳电池多晶硅薄膜
- PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用被引量：11
- 2004年
- 采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅 (SiN)薄膜 ,再对薄膜进行快速热退火处理 ,研究了在不同温度下SiN薄膜的退火特性 .通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率 ,发现退火后薄膜的厚度下降 ,折射率升高 ;采用准稳态光电导衰减QSSPCD测少数载流子寿命 ,发现少子寿命有很大程度的下降 .还研究了SiN薄膜对多晶硅电池性能的影响 。
- 叶小琴许颖李艳顾雅华周宏余王文静
- 关键词：氮化硅薄膜等离子增强化学气相沉积太阳电池
- 稀土区奇质子Lu和Ta核旋称反转研究
- 2005年
- 研究了奇质子核Lu和Ta同位素链h11/2质子9/2[514]转动带旋称劈裂的系统规律,并与同一核区奇奇核的πh11/2νi13/2两准粒子转动带低自旋区旋称劈裂规律进行了比较,指出奇质子Lu和Ta核三准粒子带的旋称反转很可能是来源于h11/2准质子和i13/2准中子之间的相互作用。
- 王祥升杨春祥周宏余叶小琴
- 关键词：旋称反转
- 陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究
- 不采用隔离层和盖帽层结构可简化区熔再结晶工艺,在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜。实验中衬底采用市售的电子级三氧化二铝陶瓷,采用快速热化学（RTCVD）方法生长,然后用区熔再结晶（ZMR）方法使籽晶层在高温下熔化并重新...
- 顾亚华许颖叶小琴王文静李海峰万之坚
- 关键词：陶瓷晶向颗粒尺寸
- 文献传递
- SOI材料上硅薄膜电池的研究被引量：1
- 2004年
- 用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(SiliconOnInsulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,电池表面钝化及减反膜采用的是等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的SiN,薄膜电池的电极全部由正面引出,制成的23μm厚薄膜电池的光电转换效率为8 12%(1×1cm2,AM1 5,23℃)。扩展电阻的测量表明电池有良好的PN结特性;量子效率测量表明SiN比常规的热氧化SiO2有更好的减反射和钝化作用;电池的暗特性表明电池具有较高的串联电阻,并分析了正面引电极对串联电阻的影响。
- 吴虎才许颖王文静励旭东叶小琴周宏余
- 关键词：SOI化学汽相沉积
- PECVD沉积氮化硅薄膜在生长及退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用
- 本文研究了在不同温度下等离子化学气相沉积氮化硅薄膜的特性。发现在220℃～380℃范围内薄膜的生长速度没有明显的差别,但沉积温度越高,则薄膜的折射率越高,少数栽流子寿命也明显升高;Si/N比对氢含量、少于寿命、折射率都有...
- 叶小琴王文静李艳励旭东许颖周宏余
- 关键词：氮化硅薄膜等离子增强化学气相沉积太阳电池
- 文献传递
