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周玉琴: 作品数：18 被引量：55H指数：4; 供职机构：中国科学院研究生院更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>

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低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究: 为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(AFM),系统地研究表面形貌的演化.通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d...; 谷锦华周玉琴朱美芳周炳卿刘丰珍刘金龙张群芳; 关键词：表面形貌微晶硅薄膜热丝化学气相沉积; 文献传递

高效薄膜硅/单晶硅太阳能电池: 本文简单综述目前国内外对薄膜硅/单晶硅异质结电池的进展.着重介绍纳米晶硅/晶体硅异质结电池的界面钝化.本征缓冲层结构对太阳能电池的光伏特性的影响,HPTEM表明在高氢稀释条件下实现低温(250℃)硅薄膜的外延生长.优化各...; 朱美芳张群芳刘丰珍周玉琴刘金龙; 关键词：异质结太阳能电池硅薄膜热丝化学气相沉积光伏特性; 文献传递

硅异质结太阳电池界面处理关键工艺的研究: 硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能.本文采用简化的RCA 清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理；采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结；通过光...; 王楠曹勇周玉琴刘丰珍; 关键词：钝化处理退火处理

不同碱液单晶硅表面织构的初步研究(英文)被引量：2: 2008年; 分别以氢氧化钠(NaOH)、碳酸钠(Na2CO3)和磷酸钠(Na3PO4.12H2O)作为刻蚀剂,研究刻蚀浓度、温度(θ)、刻蚀时间(te)和添加剂(异丙醇(IPA)、碳酸氢钠(NaHCO3))对晶体硅表面织构化的影响,用场发射扫描电子显微镜表征织构效果.通过优化工艺,可得到较低的平均表面反射率(Rav),按使用的刻蚀剂分别为:9.70%(NaOH)、9.76%(Na2CO3)和8.63%(Na3PO4.12H2O).据此分析了Rav和织构表面形貌之间的关系.发现添加剂IPA在Na3PO4.12H2O或Na2CO3与NaOH 3种刻蚀剂溶液中均可明显起改善织构效果.NaHCO3在某些方面具有与IPA的相同作用,同时又能促进大金字塔的形成.文中同时初步提出有关刻蚀过程的机理.; 豆玉华周玉琴朱美芳宋爽刘丰珍刘金龙张占军; 关键词：单晶硅织构碱液反射率表面形貌

利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构被引量：6: 2005年; 采用x射线小角散射 (SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积 (rf PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积 (PE HWCVD)技术制备的微晶硅 (μc Si:H)薄膜的微结构 .实验发现 ,在相同晶态比的情况下 ,PECVD沉积的 μc Si:H薄膜微空洞体积比小 ,结构较致密 ,HWCVD沉积的 μ Si:H薄膜微空洞体积比大 ,结构较为疏松 ,PE HWCVD沉积的 μc Si:H薄膜 ,由于等离子体的敲打作用 ,与HWCVD样品相比 ,微结构得到明显改善 .采用HWCVD二步法和PE HWCVD加适量Ar离子分别沉积 μc Si:H薄膜 ,实验表明 ,微结构参数得到了进一步改善 .4 5°倾角的SAXS测量显示 ,不同方法制备的 μc Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性 .红外光谱测量也证实了SAXS的结果 .; 周炳卿刘丰珍朱美芳谷锦华周玉琴刘金龙董宝中李国华丁琨; 关键词：微晶硅薄膜微结构

低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究被引量：20: 2005年; 采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品 ,用原子力显微镜系统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化 .按照分形理论分析得到 :在玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长 ;而在单晶硅衬底上 ,薄膜早期以有限扩散生长模式生长 ,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式 .岛面密度与膜厚的依赖关系表明 ,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值 .Raman谱的测量证实 ,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶微晶相变之间存在密切的关系 .不同的衬底材料直接影响反应基元的表面扩散能力 ,从而造成薄膜早期生长模式的差异 .; 谷锦华周玉琴朱美芳李国华丁琨周炳卿刘丰珍刘金龙张群芳; 关键词：微晶硅薄膜表面形貌热丝化学气相沉积

纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性和输运机制被引量：1: 2008年; 采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗I-V特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域:旁路电阻(0～0.15V)、非理想二极管2(0.15～0.3V)、理想二极管1(0.3～0.5V)和串联电阻(>0.5V).拟合结果表明,适当的氢处理时间(～30s)可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性.对于282～335K的暗I-V温度特性的研究表明,在0.15～0.3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0.3～0.5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释.; 刘丰珍崔介东张群芳朱美芳周玉琴; 关键词：纳米硅薄膜

氧化性在硅太阳电池织构中的作用被引量：2: 2011年; 在单晶硅太阳电池的制备中,碱性腐蚀常被用于在晶体硅上形成金字塔结构,减小光的反射,提高太阳电池的效率。获得小而分布均匀的金字塔绒面结构有利于提高太阳电池的转化效率。本文通过优化NaClO织构工艺,获得了金字塔平均尺寸为1.4μm,平均表面反射率为11.5%的织构绒面,并探索了形成小金字塔的机理。认为NaClO具有一定的氧化性是其形成小金字塔的可能原因。为了研究氧化性在织构中的作用,采用在无氧化性的NaOH溶液中分别通入了氧气和氩气。实验结果表明,在常规的NaOH织构过程中加入氧化剂有助于减小金字塔的尺寸。由于NaClO溶液自身既具有碱性,又具有氧化性,织构时不需要额外地加入氧化剂。与常规织构所用的NaOH溶液相比,NaClO溶液更易得到小而分布均匀的金字塔绒面,更适用于太阳电池的制备。; 李国荣周玉琴刘丰珍; 关键词：次氯酸钠氧化性

Growth Mechanism of Microcrystalline Silicon Films by Scaling Theory and Monte Carlo Simulation被引量：1: 2008年; Hydrogenated microcrystalline silicon （~c-Si：H） films with a high deposition rate of 1.2nm/s were prepared by hot-wire chemical vapor deposition （HWCVD）. The growth-front roughening processes of the μc-Si..H films were investi- gated by atomic force microscopy. According to the scaling theory, the growth exponent β≈0.67, the roughness exponent α≈0.80,and the dynamic exponent 1/z = 0.40 are obtained. These scaling exponents cannot be explained well by the known growth models. An attempt at Monte Carlo simulation has been made to describe the growth process of μc-Si： H film using a particle reemission model where the incident flux distribution,the type and concentration of growth radical, and sticking,reemission,shadowing mechanisms all contributed to the growing morphology.; 訾威周玉琴刘丰珍朱美芳

硅异质结电池界面处理关键工艺的研究被引量：7: 2013年; 薄膜硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能。本文采用简化的RCA清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理;采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结;通过光发射谱(OES)研究了PECVD在不同的匹配速度下起辉基元浓度随时间的变化,证实了基元浓度的不稳定对电池界面性质有一定的影响;分析了退火工艺对异质结的界面特性的影响,在10-4Pa量级的背景真空和200℃下进行退火,可显著提高电池开路电压VOC和填充因子FF。本文结果表明:硅片前期处理的氧化膜保护工艺及后退火处理,皆可明显地改善HIT电池的界面性质、提高电池的转换效率。; 王楠张瑜周玉琴; 关键词：钝化处理退火处理

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