夏冬梅
- 作品数：23 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 化学气相淀积的生长设备
- 化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管(1)内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔(3)之间设有耐高温的热解BN套管(2)组。BN套管组为2-6只套管，套管壁间...
- 韩平赵红谢自力王荣华王琦夏冬梅修向前张荣郑有炓
- 文献传递
- 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法
- 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH<Sub>4</Sub>、C<Sub>2</Sub>H<Sub>4</Sub>为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C<Su...
- 韩平王荣华夏冬梅刘成祥谢自力赵红修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓
- 文献传递
- 生长温度对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响
- 用化学气相淀积方法在Si（100）衬底上制备Si 缓冲层、继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C 合金薄膜。研究表明，较低的Si 缓冲层或Si1-xGex:C 外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex:C...
- 夏冬梅顾书林施毅张荣郑有炓王荣华王琦韩平梅琴陈刚谢自力修向前朱顺明
- 关键词：化学气相淀积合金薄膜生长温度
- GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长
- ＜正＞由于 GaN 和 Ge 之间带隙宽度相差很大（～2.7eV）,Ge/GaN 异质结可用于宽波段太阳能电池、背照式双色探测器和异质结双极性晶体管（HBT）等器件的研制。在 HBT 器件中,异质结材料较大的带宽差异可以...
- 王荣华韩平曹亮王琦梅琴夏冬梅谢自力陆海陈鹏顾书林张荣郑有炓
- 关键词：GANINNCVD
- 文献传递
- Si（100）上Ge组分渐变的Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金薄膜的CVD生长
- Si1-x—yGe1-xCy三元合金以其独特的性质引起人们的普遍重视。研究表明，替位式C的掺入可以补偿Si上Si1-xGex合金中的应变，而且还可以提高Si1-xGex合金的禁带宽度以及抑制异质结中的硼等杂质的扩散。
...
- 夏冬梅
- 关键词：合金薄膜化学气相淀积
- Si上Si1-xGex:C缓冲层的载流子分布
- 本文用化学气相淀积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜...
- 夏冬梅顾书林施毅张荣郑有炓王荣华王琦韩平梅琴陈刚谢自力修向前朱顺明
- 关键词：化学气相淀积载流子
- 文献传递
- 用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长
- 用化学气相沉积方法对Si（111）衬底进行碳化处理，继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。结果表明1100℃的碳化温度可以有效降低Si与SiC薄层界面处的空洞，得到较平整的SiC薄层，在此条件下生长了高质量的SiC薄膜。在...
- 王琦顾书林施毅张荣王荣华夏冬梅郑有炓韩平俞慧强谢自力修向前朱顺明
- 关键词：化学气相沉积法外延层薄膜生长电学性质
- 文献传递
- Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长被引量：3
- 2006年
- 用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.
- 王荣华韩平夏冬梅李志兵韩甜甜刘成祥符凯谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积
- Si1-xGex：C合金薄膜的EDS元素深度分析
- 俄歇电子能谱(AES)、x 光电子能谱(XPS)、x 射线能量色散谱(EDS)是目前应用最广泛的显微分析方法。与 AES 和 XPS 相比,EDS 有诸多优点,如测试方便、不损坏试样、分析速度快;但缺点是分辨率和定量分析...
- 梅琴韩平王荣华夏冬梅王琦赵红谢自力修向前顾书林施毅张荣郑有炓
- 文献传递
- 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法
- 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH<Sub>4</Sub>、C<Sub>2</Sub>H<Sub>4</Sub>为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C<Su...
- 韩平王荣华夏冬梅刘成祥谢自力赵红修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓
- 文献传递
