孔梅影
- 作品数：111 被引量：92H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术核科学技术更多>>
- MBE生长的InAs薄膜Hall器件被引量：1
- 1999年
- 利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中。
- 周宏伟曾一平李歧旺王红梅潘量孔梅影
- 关键词：MBE生长砷化铟半导体薄膜技术
- InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究被引量：2
- 1995年
- 在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．
- 孙殿照王晓亮李晓兵国红熙阎春辉李建平朱世荣李灵霄曾一平孔梅影侯洵
- 关键词：INGAAS磷化铟超晶格材料GSMBE生长
- 分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究被引量：5
- 1994年
- 本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．
- 阎春辉郑海群范缇文孔梅影曾一平黄运衡朱世荣孙殿照
- 关键词：分子束外延砷化镓GAASSB
- 高质量GaN材料的GSMBE生长被引量：6
- 1997年
- 在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V·s）；室温光致发光谱上只观察到一个强而锐的带边发光峰，谱峰位于363nm处，室温谱峰半高宽最窄为8nm（75meV）．
- 王晓亮孙殿照孔梅影张剑平付荣辉朱世荣曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：氮化镓GSMBE
- InAs薄膜Hall器件被引量：2
- 1998年
- 利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了的薄膜Ｈａｌ器件。这种Ｈａｌ器件具有灵敏度高、温度特性好等优点。室温下的积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ·ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ·ｋＧｓ（灵敏度比相同掺杂的ＧａＡｓＨａｌ器件高５０％）。在（２０～７０）℃温度区域内，内阻温度系数和Ｈａｌ电压温度系数分别为８×１０－４／℃，－２×１０－３／℃（恒流驱动）和－３×１０－３／℃（恒压驱动）。
- 周宏伟曾一平李歧旺卫微王红梅孔梅影
- 关键词：电阻温度系数
- RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)被引量：2
- 2004年
- 用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为 10 35 cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 1.0× 10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为 2 6 5 3cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 9.6× 10 1 2 cm- 2 的 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料 .用此材料研制的器件 (栅长为 1μm,栅宽为 80μm,源 -漏间距为 4μm )的室温非本征跨导为 186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为 92 5 m A/m m,特征频率为 18.8GHz.
- 王晓亮胡国新王军喜刘新宇刘键刘宏新孙殿照曾一平钱鹤李晋闽孔梅影林兰英
- 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓场效应晶体管
- GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管被引量：5
- 1999年
- 用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度，我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料，其反向电压为－５Ｖ时，反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２．
- 刘学锋王玉田刘金平李建平李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
- 关键词：P-N结异质结二极管GSMBE
- MBE InGaAs／GaAs量子点及其红外吸收波长调制被引量：2
- 2003年
- 利用分子束外延枝术，自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs／GaAs量子点超晶格结构。通过改变结构参数和生长参数，可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长，用于研制8～12μm大气窗口的红外探测器，观测发现随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加，其红外吸收峰蓝移，用量子点间的耦合作用随In—GaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予解释。
- 孔梅影曾一平李晋闽
- 关键词：分子束外延量子点INGAAS/GAAS红外吸收
- MBE GaAs/GaP(001)外延层的光学和结构性质
- 1991年
- 利用光荧光和x射线双晶衍射分析方法,研究了MBE GaAs/GaP(001)外延层的能带结构和晶格参数。在外延层厚度大于监界厚度的情况下,GaAs外延层主要受到热膨胀系数不同所引起的张应力作用,这种双轴张应力使其晶格参数和能带结构发生变化。
- 王春艳孔梅影王玉田郑海群曾一平
- 关键词：光学
- 应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究被引量：3
- 1997年
- 用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对于Si(0.89)Ge(0.11)／Si多量子阱，其卫星峰多达15个以上．三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见．结果表明，用GSMBE技术生长的Si1-xGex／Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面．
- 邹吕凡王占国孙殿照张靖巍李建平孔梅影林兰英
- 关键词：GSMBE异质结材料X射线双晶衍射
