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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电晶体
  • 2篇压电晶体
  • 2篇籽晶
  • 2篇坩埚
  • 2篇下降法
  • 2篇晶体
  • 2篇化学计量
  • 2篇固相

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇侍敏莉
  • 2篇徐家跃
  • 2篇林雅芳
  • 2篇张爱琼
  • 2篇李新华
  • 2篇陆宝亮
  • 2篇安华
  • 2篇钱国兴

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一类压电单晶体及其生长方法
本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于:通过同族元素替代形成了的压电晶体,通式为Sr<Sub>3-x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
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一类压电单晶体及其生长方法
本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于:通过同族元素替代形成了的压电晶体,通式为Sr<Sub>3-x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
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共1页<1>
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