宋文斌
- 作品数：13 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法
- 本发明公开了一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法，包括：选用P<100>SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench腐蚀；进行第二次Trench腐蚀形成源引出端和体引出端的隔离，在沟槽下方与B...
- 宋文斌毕津顺韩郑生
- 文献传递
- 低压（55V/30A）功率VDMOSFET的优化和研制
- 本文共分为三大部分:第一部分详细介绍了VDMSOFET的结构、工作原理、特点以及主要应用方向;描述了VDMOSFET器件的重要参数,讨论了VDMOSFET的一些效应:二次击穿效应,准饱和效应和寄生效应;同时讨论了VDMO...
- 宋文斌
- 关键词：版图设计功率半导体器件优化计算
- 文献传递网络资源链接
- 部分耗尽SOI器件及器件模型参数提取方法研究
- 本论文研究了部分耗尽SOI MOS器件、模型及器件模型参数提取方法，主要内容如下：
1)对SOI技术的应用、发展现状及前景进行了阐述，总结了SOI技术的优点以及问题。总结了近年来国内外的一些研究成果，总结和分析了部...
- 宋文斌
- 关键词：绝缘体上硅并行混合遗传算法消息传递接口
- 新型PN结终端技术的研究被引量：1
- 2005年
- 在场板工作机理的基础上阐述了一种新型的场板和保护环相结合的P-N结终端技术的工作原理.最后讨论了此终端结构的可行性.
- 石广源永福宋文斌赵贵勇王莉宋哲
- 关键词：场板保护环结终端技术
- 椭圆曲线密码体制在智能卡中的实现
- 2005年
- 首先介绍ECC的数学基础,然后给出了ECC的数字签名算法,最后给出了ECC与RSA算法的安全度和使用两种算法的智能卡的面积对比.
- 赵贵勇赵育新宋文斌石广源
- 关键词：椭圆曲线密码体制数字签名智能卡
- 条形单胞VDMOSFET特征导通电阻的物理模型
- 本文推导出了条形单胞VDMOSFET的特征导通电阻的数学模型，并以(55V/30A)功率VDMOSFET的设计为例，根据此模型的计算数据确定器件单胞尺寸。
- 宋文斌韩郑生石广源高嵩永福
- 关键词：芯片设计导通电阻
- 文献传递
- 0.18μm PDSOI CMOS器件电离辐照性能研究
- 中国科学院微电子所0.18μm PDSOI CMOS工艺,实现一种超薄栅氧VSTI CMOS器件结构.电离总剂量辐照试验结果表明,300K rad(Si)辐照后NMOS器件的阈值电压漂移较小,关态漏电有所增大,但经125...
- 刘梦新梅博赵发展宋文斌刘刚罗家俊韩郑生
- 关键词：总剂量辐照绝缘体上硅
- 新型部分耗尽SOI器件体接触结构
- 2008年
- 提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE-TCAD三维器件模拟结果表明,该结构具有较小的体引出电阻和体寄生电容、体引出电阻随器件宽度的增加而减小、没有背栅效应。而且,该结构可以在不增加寄生电容为代价的前提下,通过适当的增加Si膜厚度的方法减小体引出电阻,从而更有效地抑制了浮体效应。
- 宋文斌毕津顺韩郑生
- 关键词：绝缘体上硅浮体效应寄生电容体电阻
- 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法
- 本发明公开了一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法，包括：选用P<100>SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench腐蚀；进行第二次Trench腐蚀形成源引出端和体引出端的隔离，在沟槽下方与B...
- 宋文斌毕津顺韩郑生
- 文献传递
- 采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
- 2007年
- 制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.
- 宋文斌许高博郭天雷韩郑生
