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光敏BJMOSFET的物理模型及数值模拟被引量：1: 2009年; 基于SOI薄膜,提出一种引入P+N注入结的光敏BJMOSFET(Bipolar JunctionMetal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)结构.在此光敏器件中,栅电压使薄膜耗尽但不反型,光生载流子的复合可以忽略.根据基本的半导体方程,建立该器件的物理模型.数值模拟结果显示:在光敏BJMOSFET中,光生电子和空穴都参与导电,和传统的MOS管相比具有较高的灵敏度.此外,它能消除CMOS工艺下PN结大的暗电流,完全与CMOS工艺兼容.; 曾云谢海情曾健平张国梁王太宏; 关键词：光电晶体管 BJMOSFET 物理模型数值模拟

维持电压和失效电流线性可调节的高压ESD器件被引量：3: 2015年; 为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系,采用0.5μm的5 V/18 V CDMOS工艺流片两组SCR ESD器件,使用传输线脉冲测试系统测试器件的性能参数。实验结果表明,随着N阱内P+区和P阱内N+区间距从6μm增加到22μm,ESD器件的维持电压线性增大,从2.29 V升高到9.64 V,幅度达421%;单位面积的失效电流线性减小,幅度约为63%。分析与仿真结果表明,该线性关系具有普遍适用性,可用于调节器件的健壮性和功率耗散能力,满足智能功率集成电路的高压ESD防护需求。另一组随着P阱内P+区和N+区间距增大,维持电压和失效电流呈现非线性的变化,但触发电压迅速降低,可用于实现高压SCR ESD器件的低触发电压设计。; 鄢永明曾云夏宇张国梁; 关键词：静电放电可控硅

基于GaN HEMT的1.5-3.5GHz宽带平衡功率放大器设计被引量：8: 2013年; 阐述了基于GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5-3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题,并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量.制作实际功放模块用于测试,在1.5-3.5GHz频带内,功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB,饱和输出功率大于8W,漏极效率为56%-65%.实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性,验证了设计方法的正确性.; 冷永清张立军曾云鲁辉郑占旗张国梁彭伟彭亚涛官劲; 关键词：宽带功率放大器 GAN HEMT

LDMOS-SCR ESD器件漂移区长度对器件性能的影响被引量：2: 2015年; 采用软件仿真一系列的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)可控硅(Silicon controlled rectifier,SCR)静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护器件,获取工作状态的I-V曲线。结果表明,随着漂移区间距缩小,单位面积的失效电流增大,器件的ESD保护水平提高,但器件的维持电压减小,器件的鲁棒性降低。仿真提取关键点的少数载流子浓度、电流密度、电压强度等电学特性,根据采样结果和理论分析,内部载流子输运能力增强,但导通电阻无明显变化是该现象的内在原因。采用0.5μm 5V/18V CDMOS(Complementary and double-diffusion MOS,互补型MOS和双扩散型MOS集成)工艺流片并测试器件,测试结果证实了仿真结论。为了提高器件的失效电流且不降低维持电压,利用忆阻器无源变阻的特性,提出了一种新型的LDMOS-SCR ESD保护器件(M-ESD器件),理论分析表明,该器件内部忆阻器与寄生晶体管组成的系统能够有效地协同工作,在不增大芯片面积和不降低维持电压的情况下,使器件的失效电流增加,提高器件保护水平。; 鄢永明曾云夏宇张国梁; 关键词：静电放电保护闩锁

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张国梁