张玉峰
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 用深能级瞬态谱及瞬态电容研究靠近禁带中央能级的新方法
- 1981年
- 半导体中的深能级杂质缺陷在禁带中往往有好几个能级,如果其中有接近禁带中央的能级,它在载流子复合等问题中起重要作用.本文指出利用接近禁带中央的能级在深能级瞬态谱(DLTS)中的峰高与其它能级的峰高的比值或利用相应的瞬态电容的初始值的比值,可以求出接近禁带中央的那个能级的电子热发射率与空穴热发射率的比值C_n(T)/e_p(T),结合DLTS的率窗或瞬态电容的时间常数,可以同时确定该能级的e_n(T)及c_p(T),并可进而求出该能级在禁带中的位置、禁带宽度在绝对零度的外插值等参数.以掺金的硅为例应用上述方法,在较高的温度范围用DLTS,在较低的温度范围用瞬态电容,求得了金的受主能级的c_n(T)/c_p(T).c_n(T)、c_p(T)及其它参数,与文献所载的用其它方法求出的相近.文中还讨论了这种方法的误差以及这种方法在识别杂质缺陷方面的可能作用.
- 秦国刚张玉峰杜永昌吴书祥张丽珠陈开茅
- 关键词：能级绝对零度载流子(半导体)轻子禁带宽度DLTS
- 近场拉曼光谱实验装置及CVD金刚石膜的近场拉曼光谱被引量：2
- 2001年
- 我们把拉曼光谱仪与实验室自制的近场扫描光学显微镜结合起来 ,建立了近场拉曼光谱系统 ,从而实现了高空间分辨拉曼光谱的测量。利用该装置 ,我们研究了热丝化学气相沉积法生长的金刚石膜 ,在约 2 0微米的范围内 。
- 王晶晶阎宏邓宇俊李红东张玉峰张帆夏宗炬高巧君邹英华
- 关键词：光学显微镜拉曼光谱CVD金刚石膜
