徐珂
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
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- GaAs阴极激活铯源质量对成像器件性能的影响
- 2010年
- 为了解决三代微光器件研究中出现的阴极灵敏度低、光电发射不均匀、稳定性差等问题,重点开展了铯源质量对阴极性能产生影响的试验研究。结果表明,激活铯源纯度、装配结构、铯源与阴极距离对阴极光电发射灵敏度、均匀性影响最大。铯源出口孔径多少大小及射出方向是阴极产生暗班的主要原因。在铯源材料成分结构与阴极距离确定之后,阴极灵敏度的高低主要决定于对铯源的除气工艺,通过对铯源除气工艺进行优化,制备出了阴极灵敏度大于1700μA/lm三代微光器件。
- 徐江涛徐珂
- 关键词：成像光电发射
- 近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究被引量：1
- 2009年
- 依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这种工艺除了用于成像器件的研究和生产外,也可用于非匹配材料的气密性封接,具有广泛的应用前景。
- 程耀进徐江涛徐珂侯志鹏师宏立刘峰
- 关键词：近贴聚焦成像器件气密性
- GaAs阴极激活氧源获得技术研究
- 2011年
- 为满足制备GaAs阴极高灵敏度的需要,对三种获得高纯氧的方法进行了试验研究。结果表明,膨胀法进氧纯度最低,银管渗氧纯度高于80%,过氧化钡氧纯度最高,可高达90%。经阴极激活证明,用过氧化钡氧源制成的三代管内阴极灵敏度最高,是获得负电子亲合势高灵敏度阴极的最佳氧源。
- 徐江涛徐珂
- 二代倒像微光像增强器管内质量污染分析
- 2009年
- 针对二代倒像微光像增强器研制中出现的制管成品率低的问题,全面对制管工艺过程中质量污染产生的根源和污染给管子带来的问题进行了分析、讨论,并结合制管进行了证实。有油真空处理设备中的油蒸气返流是造成管子部件污染的主要原因,而制管过程中工艺质量控制不严格和技术不成熟均影响了器件研制的成功率。通过对制管技术的研究和工艺的改进,研制成功了性能指标全面合格的二代倒像微光像增强器。
- 徐江涛程耀进侯志鹏徐珂师宏立李敏刘峰
- 关键词：微光像增强器成品率
- V型级联微通道板纳秒响应近贴聚焦像增强器研究
- 2015年
- 为解决单片微通道板(MCP)近贴聚焦像增强器在强脉冲光照射下输出图像失真、脉冲响应时间慢的问题,对光电阴极面电子发射过渡过程进行理论分析,得出半导体阴极发射层电阻大、光电阴极和荧光屏与MCP间的距离大、器件增益低是造成器件响应时间慢的主要根源。因此采用在阴极发射层底面真空蒸镀100 nm厚半透明金属导电膜、阴极与MCP输入面间距从0.4减小到0.15 mm、荧光屏与MCP间距从0.8减小到0.5 mm和双MCP级联等措施,制成了脉冲时间小于2 ns,增益达到106的纳秒响应像增强器,满足了核技术研究需求。文章中给出了像增强器的结构、技术指标及器件改进前后的时间响应曲线,并指出了器件的应用前景。
- 徐江涛杨晓军徐珂刘蓓蓓李丹
- 关键词：像增强器微通道板
