侯志鹏
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安应用光学研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究被引量：1
- 2009年
- 依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这种工艺除了用于成像器件的研究和生产外,也可用于非匹配材料的气密性封接,具有广泛的应用前景。
- 程耀进徐江涛徐珂侯志鹏师宏立刘峰
- 关键词：近贴聚焦成像器件气密性
- 二代倒像微光像增强器管内质量污染分析
- 2009年
- 针对二代倒像微光像增强器研制中出现的制管成品率低的问题,全面对制管工艺过程中质量污染产生的根源和污染给管子带来的问题进行了分析、讨论,并结合制管进行了证实。有油真空处理设备中的油蒸气返流是造成管子部件污染的主要原因,而制管过程中工艺质量控制不严格和技术不成熟均影响了器件研制的成功率。通过对制管技术的研究和工艺的改进,研制成功了性能指标全面合格的二代倒像微光像增强器。
- 徐江涛程耀进侯志鹏徐珂师宏立李敏刘峰
- 关键词：微光像增强器成品率
- 微光管大面积GaAs负电子亲合势光电阴极(NEA)光谱特性测试与分析被引量：1
- 2007年
- 结合微光管研制,对大面积GaAs与玻璃粘接制备的透射式光电阴极的光谱特性进行在线测试,并对测试结果进行了分析讨论。依据光谱特性的变化,分析了影响阴极发射性能的根源。当激活工艺稳定状态下,光谱性能差是因GaAs发射层表面氧化,受碳污染及玻璃粘接应力过大等因素造成。通过对发射层表面处理技术研究,确定了阴极制备工艺,制成了管内阴极灵敏度为1400μA/lm的NEA光电阴极和主要性能合格的微光管,使微光管研究有了突破性进展。
- 徐江涛曹桂林侯志鹏程跃进石峰
- 关键词：微光管光谱特性透射式
