徐阳
- 作品数：38 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 低温下磁控溅射AlN薄膜择优取向研究被引量：1
- 2013年
- 研究了衬底温度从-20～20℃下射频磁控溅射AlN薄膜的择优取向程度。利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射电子显微镜(FESEM)对AlN薄膜的晶体结构、粗糙度及表面和断面形貌进行了分析。研究结果表明,当衬底温度低于0℃时,AlN薄膜中的(100)衍射峰消失,AlN薄膜以(002)面择优取向生长。当衬底温度降低时,AlN薄膜的晶粒大小和表面粗糙度减小。AlN薄膜在0℃下沉积具有最佳的择优取向程度和较低的表面粗糙度。
- 杨杰马晋毅杜波徐阳石玉
- 关键词：ALN薄膜衬底温度形貌
- 钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究被引量：6
- 2014年
- 以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。
- 张永川彭胜春徐阳
- 关键词：晶体滤波器钽酸锂离子束刻蚀高频宽带
- 两相球形材料及其制造装置、制造方法及板材的制造方法
- 本发明公开了一种两相球形材料，包括球形壳体及球形壳体内密封的气体，其中：球形壳体的外径取值范围为10微米‑5毫米，球形壳体的壁厚取值范围为20纳米‑1000微米，球形壳体内绝对压力的取值范围为0.1MPa‑100MPa。...
- 汤劲松何晔宋晓佳屈菁菁王瑞付昌禄徐阳佘建军
- 一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法
- 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起...
- 刘娅马晋毅徐阳田本朗梁柳洪龙飞蒋平英张必壮谭发曾
- 文献传递
- C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证
- 2023年
- 介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。
- 蒋世义蒋平英马晋毅马晋毅陈彦光徐阳刘娅
- 关键词：宽带
- LiNbO3单晶薄膜体声波谐振器的研制
- 2019年
- 该文介绍了一种采用智能截割(Smart CutTM)技术制备的单晶铌酸锂(LiNbO3)薄膜体声波谐振器。采用COMSOL有限元仿真软件从材料和结构两方面对LiNbO3薄膜体声波谐振器进行优化设计,以实现高机电耦合系数,并通过Smart CutTM工艺方法制备了高性能Z切-LiNbO3单晶薄膜作为谐振器的压电层,最终得到LiNbO3薄膜体声波谐振器的谐振频率为3847.5MHz,反谐振频率为3986.25MHz,插入损耗为1.81dB,谐振器有效机电耦合系数达到8.3%。
- 彭霄田本朗毛世平杜波蒋欣徐阳马晋毅蒋平英
- 关键词：机电耦合薄膜体声波谐振器
- 基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器被引量：3
- 2021年
- 该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤波器裸芯片的中心频率为2.993 GHz,中心插损为1.69 dB;覆膜后滤波器的中心频率为2.997 GHz,中心插损为1.51 dB。对覆膜的影响和覆膜前后的差异进行了分析。
- 刘娅刘娅马晋毅孙科罗方活徐阳徐阳蒋平英许东辉许东辉
- 关键词：裸芯片覆膜插入损耗
- 异构集成无源射频滤波器的射频前端模拟集成芯片
- 本实用新型公开了一种异构集成无源射频滤波器的射频前端模拟集成芯片，包括射频滤波器和射频集成电路，射频滤波器包括射频滤波器衬底和射频滤波器芯片电路，射频集成电路包括射频集成电路衬底、射频集成电路芯片电路、接地金属层或深阱和...
- 杜波马晋毅江洪敏徐阳杨靖
- 文献传递
- 二氟化氙释放牺牲层多晶硅刻蚀速率研究
- 2016年
- 该文研究了相关工艺参数对二氟化氙(XeF_2)干法释放多晶硅的释放速率的影响。结果表明,对于薄膜体声波谐振器(FBAR)悬臂结构,腔室压力不变时,随着载气N_2流量的增大,刻蚀速率先增加后减少,刻蚀速率最大值为10.3μm/min;载气N2流量不变时,腔室压力越大,工艺腔室参与刻蚀反应的XeF_2气体的浓度增大,刻蚀速率越大。当腔室压力超过1 200Pa时,随着腔室压力的增加,刻蚀速率的增长率逐渐减小。
- 司美菊杜波田本朗徐阳金成飞蒋欣江洪敏马晋毅
- 关键词：空气隙干法刻蚀刻蚀速率粗糙度
- 一种异构集成无源射频滤波器的射频前端模拟集成芯片
- 本发明公开了一种异构集成无源射频滤波器的射频前端模拟集成芯片，包括射频滤波器和射频集成电路，射频滤波器包括射频滤波器衬底和射频滤波器芯片电路，射频集成电路包括射频集成电路衬底、射频集成电路芯片电路、接地金属层或深阱和钝化...
- 杜波马晋毅江洪敏徐阳杨靖
- 文献传递
