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敖海宽

作品数：5 被引量：10H指数：3
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇陶瓷
  • 3篇晶界
  • 2篇铁电
  • 1篇电场
  • 1篇电畴
  • 1篇电光
  • 1篇电光效应
  • 1篇电子陶瓷
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇铁电陶瓷
  • 1篇透明陶瓷
  • 1篇转变温度
  • 1篇锆钛酸铅瓷
  • 1篇晶粒间界
  • 1篇功能陶瓷
  • 1篇光学
  • 1篇光学方法
  • 1篇光学分析法
  • 1篇PLZT
  • 1篇变温

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇敖海宽
  • 3篇祝炳和
  • 3篇郑鑫森
  • 2篇姚尧
  • 1篇殷之文
  • 1篇赵梅瑜

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇上海硅酸盐
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第三次全国功...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1987
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
光学方法测定PLZT电光陶瓷的铁电转变温度的研究
郑鑫森郑芝凤敖海宽
关键词：锆钛酸铅瓷电光效应光学分析法
PLZT陶瓷的晶界现象被引量：3
1999年
利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片， 利用十字形电极， 观察在电场作用下， 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如： 晶界平滑区， 晶界区的电光性， “壳－芯”结构， 析出物在晶界区的沉积， 电畴在该区的成核和生长， 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区，
祝炳和赵梅瑜姚尧郑鑫森敖海宽殷之文
关键词：功能陶瓷晶界电畴PLZT
电子陶瓷中的晶界（I）被引量：3
1990年
讨论了电子陶瓷材料中晶界的有关诸方面：晶界的无序结构、晶界偏析、晶界的开放结构和扩散、晶界的高能性质及对成畴和畴前进的关系、晶界的粘弹性性质及其对应力应变的可容纳性、晶界的空间电荷层、晶界迁移和晶界附近处的无气孔区。存在两种类型的晶界：即垂直及平行于外场的晶界和张应力及压应力晶界。最后举例讨论了晶界对材料性质的影响。
祝炳和敖海宽等
关键词：电子陶瓷晶界陶瓷材料
PLZT陶瓷中的光致伏特效应的研究被引量：4
1991年
研究了PLZT陶瓷中的体光伏特效应。采用通氧热压技术制备PLZT陶瓷。试样被切割加工成4.5×3×1mm^3并沿3mm 方向加以极化,在高于居里点的温度下以较低的电压(～250V/mm)极化。在高压球形汞灯的照射下,所研究的PLZT试样呈现较强的光致伏特效应。在4/56/44PLZT陶瓷中,其光伏电压和电流输出分别为1.2kV/cm(开路态)和0.9μA/cm^2(闭路态)。实验表明 PLZT 的光伏电流与光照强度有关而与外接电阻负载无关(在0～10~8Ω范围内);外加偏置场对极化前后的4/56/44PLZT陶瓷的光伏特性的影响的实验表明:受光照射后产生的光致激发载流子在一有效驱动电场的作用下作定向运动,从而对外表现出光伏效应的行为特征,这一有效场为材料的剩余极化场;外加偏置电场可诱发或加强材料的光伏电压和电流的输出。
郑鑫森郑芝凤束慧君敖海宽
关键词：电场
透明铁电陶瓷的晶界区
祝炳和敖海宽姚尧
关键词：铁电陶瓷透明陶瓷晶粒间界
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