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李有群

作品数：3 被引量：18H指数：2
供职机构：南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇SI衬底
  • 3篇GAN
  • 3篇衬底
  • 2篇发光
  • 2篇GAN基LE...
  • 1篇电致发光
  • 1篇载流子
  • 1篇屏蔽效应
  • 1篇结温
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光LED
  • 1篇二极管
  • 1篇发光二极管
  • 1篇LED

机构

  • 3篇南昌大学

作者

  • 3篇李有群
  • 2篇方文卿
  • 2篇刘卫华
  • 2篇江风益
  • 2篇刘和初
  • 2篇莫春兰
  • 2篇周毛兴
  • 1篇熊传兵
  • 1篇王立

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 3篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Si衬底GaN基LED理想因子的研究被引量：9
2006年
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。
刘卫华李有群方文卿周毛兴刘和初莫春兰王立江风益
关键词：SI衬底GANLED
Si衬底GaN基同侧结构蓝光LED电致发光特性研究
近几年来，在Si衬底上生长GaN取得了很大的进展，有少数几家研究组报道在Si衬底上制备出了GaN基发光器件。但对其LED器件性能的研究并未深入。其发光层InGaN量子阱内来自于材料本身自发极化与应力诱导的压电极化而产生的...
李有群
关键词：SI衬底GAN
文献传递
Si衬底GaN基LED的结温特性被引量：9
2006年
结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现S i衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为S i有更好的导热性。同时也表明:用S i作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。
刘卫华李有群方文卿莫春兰周毛兴刘和初熊传兵江风益
关键词：SI衬底GAN发光二极管结温
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