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Cu在非晶合金Fe-Zr-B结晶过程中的作用被引量：6: 1998年; 利用场离子显微镜原子探针和透射电子显微镜研究了Cu在非晶合金Fe 7Zr 3B 1Cu初晶转变过程中的行为 ,结果表明 ,结晶前有富Cu的原子团簇形成 ,结晶过程中富Cu的原子团簇为α Fe相提供形核位置 ,有效提高了α; 张瑗朱逢吾宝野和博井上明久樱井利夫; 关键词：纳米晶结晶化非晶合金

Na原子在Si(111)-(7×7)表面的吸附:从二维原子气到纳米团簇阵列被引量：2: 2004年; 作者利用扫描隧道显微镜 (STM)详细研究了室温下Na原子在Si(111) (7× 7)表面的吸附 .对STM图像及功函数变化的分析表明 ,当Na原子覆盖度小于临界覆盖度 (0 .0 8ML)时 ,Na原子具有类气态的性质并可以在一个吸附能阱中快速移动 .从STM图像可看出这种移动导致的对比度调制 .在临界覆盖度以上 ,Na原子自组装形成团簇阵列 .第一原理模拟计算的结果与作者的实验结论很好吻合 .; 薛其坤王恩哥吴克辉樱井利夫川添良幸张绳百; 关键词：纳米团簇钠原子扫描隧道显微镜第一性原理计算功函数

C_(60)分子在GaAs(001)表面的外延生长的扫描隧道显微镜研究: 1997年; 利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）系统地研究了Ｃ６０薄膜在ＧａＡｓ（００１）表面的异质外延生长．在ＧａＡｓ（００１）２×４β相表面，观察到Ｃ６０薄膜以非密排面进行生长，并在生长中有结构相变产生．实验数据表明，薄膜下层面心立方（ｆｃｃ）的晶格常数比Ｃ６０晶体的晶格常数要大１３％；而薄膜的表层结构则展示了非理想的六角密堆（ｈｃｐ）结构，其表面为ｈｃｐ（１１００）面，生长过程是非理想的层状生长模式．在ＧａＡｓ（００１）ｃ（４×４）衬底上，Ｃ６０薄膜的表面仍然是ｆｃｃ（１１１）面，其结构参数与Ｃ６０晶体一致。; 凌勇薛其坤陈皓明樱井利夫; 关键词：STM 碳60 分子

原子氢在Si(100)表面吸附的FI-STM研究: 1993年; 高性能的场离子-扫描隧道显微镜(field ion-scanning tunneling microscope简称FI-STM)已成功地用于原子氢在Si(100)2×1表面的化学吸附过程的研究。结果表明,在小于6L低的氢暴露量下,氢原子通常是吸附在Si的二聚原子列(dimer rows)的顶部。随着氢暴露量的增加,先后出现Si(100)2×1:H单氢化物相(monohydride)和Si(100)1×1::2H双氢化物相(dihydride)两种表面结构。氢饱和的Si表面的热脱附研究表明,当样品被加热到590K时,表面结构并无明显变化;而到达670K时,则表面的(1×1)双氢化物相消失;当温度升高到730K时,(2×1)结构的二聚原子列又重现于表面,而且在Si衬底的台阶上出现许多错列的吸附原子链。这些原子链垂直于原先的Si的二聚原子列的方向,因此被认为是由Si的氢化物热解产生的Si原子在Si(100)表面的有序化排列。; 陆华王向东白春礼桥诘富博樱井利夫; 关键词：硅

非晶合金Fe-7Zr-3B的纳米晶结晶化机理被引量：10: 1999年; 利用场离子显微镜－原子探针，透射电镜及高分辨电镜研究了非晶合金Ｆｅ－７Ｚｒ－３Ｂ中α－Ｆｅ相的结晶过程，结果表明，α－Ｆｅ相是以形核－生长方式结晶的．在制备态非晶样品中观察到了中程有序畴，结晶前，中程有序畴得到进一步发展；在α－Ｆｅ相的形核生长阶段，观察到Ｚｒ原子在α－Ｆｅ相／非晶相的界面上富集，说明α－Ｆｅ晶粒的生长是由Ｚｒ原子的扩散所控制的．; 张瑗朱逢吾宝野和博井上明久樱井利夫; 关键词：非晶态合金结晶化原子探针纳米晶

场离子-扫描隧道显微镜被引量：1: 1993年; 由IBM的Binnig和Rohrer发明的扫描隧道显微镜STM是基于与原先的各种表面研究手段完全不同的原理,能直接观察一个个表面原子并能测出每个原子位置上的电子状态的划时代的表面研究装置。STM之所以引起表面科学工作者的注目主要原因是由于它能在极高的空间分辨率(dX/Y～0.1nm,dz～0.01nm)下直接观察表面的原子结构。而且,它不一定需要超高真空条件,而可以在大气或溶液等环境中操作。这是以往任何一种表面研究手段不可能做到的。然而,即使如此,STM也暴露出它的弱点,如操作特性的不稳定性以及操作过程中原子分辨能力的不可控性。很显然主要原因是扫描探针的尖端曲率半径及其稳定性。为了在STM实验中随时监测其扫描探针尖端的原子排列状况,Kuk及Sakurai等人先后设计研制了一种将场离子显微镜FIM和STM组合在一起的复合型场离子-扫描隧道显微境FI-STM。使用这种仪器可以确保在极高的原子分辨的情况下从事STM研究。下面将就FIM的原理、STM的基础、FI-STM的技术细节以及它的应用实例作简单的介绍。; 陆华樱井利夫; 关键词：场离子显微镜 STM

全氟并五苯在半金属Ga表面的分子二聚化及自组装单层被引量：1: 2010年; 利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)和有机分子束沉积(OMBD)方法研究了全氟并五苯(perfluoropentancene,PFP)分子在半金属Ga表面的吸附和两维自组装.在低覆盖度下单个PFP分子在Ga表面上表现出很高的迁移性.在1分子单层(monolayer,ML)时PFP分子发生二聚化并在Ga表面上无序排列.轻度热退火可导致PFP两维自组装:二聚体排列为高度有序的一维分子带阵列,带中PFP二聚体排列为砖墙(brickwall)结构.在高分辨STM图中,PFP分子两端出现亮暗相反的圆形突起,并且相邻分子的亮暗极性相反,表明PFP分子带有电偶极矩,PFP二聚体带有电四极矩.因此,PFP分子二聚体的形成机制可唯像解释为反向电偶极矩之间的静电吸引作用;二聚体的砖墙排列结构可归结为同向电四极矩之间的静电排斥作用.; 彭桂平王进华兰梦邵婷娜王俊忠武志坚樱井利夫; 关键词：扫描隧道显微镜分子自组装二聚体

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樱井利夫