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场离子-扫描隧道显微镜被引量：1: 1993年; 由IBM的Binnig和Rohrer发明的扫描隧道显微镜STM是基于与原先的各种表面研究手段完全不同的原理,能直接观察一个个表面原子并能测出每个原子位置上的电子状态的划时代的表面研究装置。STM之所以引起表面科学工作者的注目主要原因是由于它能在极高的空间分辨率(dX/Y～0.1nm,dz～0.01nm)下直接观察表面的原子结构。而且,它不一定需要超高真空条件,而可以在大气或溶液等环境中操作。这是以往任何一种表面研究手段不可能做到的。然而,即使如此,STM也暴露出它的弱点,如操作特性的不稳定性以及操作过程中原子分辨能力的不可控性。很显然主要原因是扫描探针的尖端曲率半径及其稳定性。为了在STM实验中随时监测其扫描探针尖端的原子排列状况,Kuk及Sakurai等人先后设计研制了一种将场离子显微镜FIM和STM组合在一起的复合型场离子-扫描隧道显微境FI-STM。使用这种仪器可以确保在极高的原子分辨的情况下从事STM研究。下面将就FIM的原理、STM的基础、FI-STM的技术细节以及它的应用实例作简单的介绍。; 陆华樱井利夫; 关键词：场离子显微镜 STM

TiC_x/Ni_3Al复合材料相界面显微结构及界面纳米硬度与弹性模量分布被引量：8: 2002年; 采用SEM,EDS等对融渗工艺制备的C/Ti比x分别为0.6、0.7、0.8和0.9的四种不同TiCx/Ni3Al复合材料进行了研究,证实Ti元素向金属相存在较强的扩散,而Ni和Al元素几乎没有向陶瓷相中扩散,扩散的结果形成了两相界面之间直接的原子结合,增加了复合材料相界面结合的强度和韧性.利用纳米压痕技术研究了复合材料相界面附近的纳米硬度H和弹性模量E,二者在相界面附近均呈连续梯度分布特征,并且TiC0.7/Ni3Al复合材料在界面处具有较高的纳米硬度值.; 华文深吴杏芳陆华沈电洪; 关键词：显微结构弹性模量

Ti/Al_2O_3界面的光电子能谱研究被引量：7: 1995年; 用X射线光电子谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）研究了Ti／Al_2O_3界面形成的过程。研究表明，活性金属Ti在室温下能与衬底Al2O3（1102）形成约20nm强结合的界面区。从Al，O，Ti的光电子谱形状变化以及它们随着Ti覆盖度的增加而出现结合能位移表明，在界面处形成的反应层中，最初几个单层的Ti很容易被Al2O3表面的活性氧所氧化，从而使Ti／Al2O3界面逐步由具有更强相互作用的TiOx／Al2O3界面所代替，并形成由多相混合体［Ti-O相，（Ti，Al）2O3相以及金属Al相］所组成的界面区。就是说，Ti通过Al—O键的O2-离子转移其电子给Al3+并使它还原成金属Al，从而形成Ti－O键所致。本文用AES强度剖面分析观察到了这种被还原的Al。; 陆华张小军崔玉德; 关键词：TI/AL2O3 光电子能谱 XPS AES

TiC_x/NiAl复合材料界面纳米硬度与弹性模量分布被引量：1: 2003年; 对C、Ti比x分别为 0 .6、0 .75、0 .8和 0 .9的四种不同TiCx/NiAl复合材料进行扫描电镜研究 ,发现陶瓷颗粒随着C、Ti比的增加而变小 ,并且Ti元素向金属相存在较强的扩散 ,而Ni和Al元素几乎没有向陶瓷相中扩散 ,扩散形成了两相界面处直接的原子结合 ,提高了复合材料相界面结合的强度和韧性。利用纳米压痕技术得出材料相界面附近的纳米硬度H和弹性模量E呈连续梯度分布 ,C、Ti比为 0 .75的复合材料相界面处的纳米硬度和弹性模量值较大。; 华文深吴杏芳陆华沈电洪M.Polak; 关键词：微结构弹性模量复合材料

固态vander WaalsC _(60)膜晶格的Coulomb膨胀: 2000年; 利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C6 0 分子上 .有趣的是 ,该固态C6 0 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C6 0 膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C6 0; 薛其坤厉建龙孙牧陆华T.HashizumeY.LingY.HasegawaK.OhnoZ.Q.LiY.KawazoeT.SakuraiH.KamiyamaH.Shinohara; 关键词：晶体生长分子束外延晶格

原子氢在Si(100)表面吸附的FI-STM研究: 1993年; 高性能的场离子-扫描隧道显微镜(field ion-scanning tunneling microscope简称FI-STM)已成功地用于原子氢在Si(100)2×1表面的化学吸附过程的研究。结果表明,在小于6L低的氢暴露量下,氢原子通常是吸附在Si的二聚原子列(dimer rows)的顶部。随着氢暴露量的增加,先后出现Si(100)2×1:H单氢化物相(monohydride)和Si(100)1×1::2H双氢化物相(dihydride)两种表面结构。氢饱和的Si表面的热脱附研究表明,当样品被加热到590K时,表面结构并无明显变化;而到达670K时,则表面的(1×1)双氢化物相消失;当温度升高到730K时,(2×1)结构的二聚原子列又重现于表面,而且在Si衬底的台阶上出现许多错列的吸附原子链。这些原子链垂直于原先的Si的二聚原子列的方向,因此被认为是由Si的氢化物热解产生的Si原子在Si(100)表面的有序化排列。; 陆华王向东白春礼桥诘富博樱井利夫; 关键词：硅

超高真空中使用的高纯过渡金属蒸发源: 2000年; 设计了一种超高真空使用的低电流过渡金属蒸发源 ,它能产生高纯金属原子束 ,且具有一定的寿命。该蒸发源是将过渡金属Co,Ni或Cr电镀到一个由W丝弯成的U形加热器上构成的。装入超高真空中 ,利用W丝自身的电阻加热 ,去气后 ,可获得数小时的清洁蒸发。实验结果表明 ,在离蒸发源约 5cm处 ,其淀积速率最高可达 1 0nm/min ,总的淀积厚度超过 5 0 0nm ,而且Auger分析结果显示 ,在超高真空中淀积的上述几种过渡金属薄膜 ,其纯度相当高 ,杂质含量均小于仪器的检测灵敏度。; 陆华厉建龙张青哲覃俭薛其坤; 关键词：过渡金属超高真空金属薄膜

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陆华