殷志富
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 一种低成本微纳一体化结构的制作方法
- 本发明属于微机电系统（MEMS）领域，涉及一种低成本微纳一体化结构的制作方法。其特征是利用侧墙工艺制作出纳米硅模具，再利用剥离工艺制作出微米石英模具，然后通过类似紫外纳米压印的方法，将紫外固化光刻胶旋涂在纳米硅模具上，将...
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- 一种制备纳米通道断面形貌样品的置换表征方法
- 本发明公开了一种制备纳米通道断面形貌样品的置换表征法，属于纳米结构表征领域。将未经氧等离子体处理的纳米沟道基板和盖板进行热压键合；将热压键合后的纳米沟道基板和盖板分离、冷冻并掰断，得到纳米沟道断面形貌完好的样品；对基板上...
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- 文献传递
- 一种带有纳米尺度通道的SU-8胶电液动力射流喷针制造方法
- 一种制备带有纳米尺度通道的SU-8胶电液动力射流喷针的热压印-紫外曝光制造方法,采用两次PDMS浇注和氧等离子体处理方法，制造出镶嵌掩膜胶片的微纳复合尺度PDMS模具。然后在硅片上光刻出BP212牺牲层，蒸镀一层Al作为...
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- 聚合物二维纳米通道热压工艺及相关理论研究
- 近年来，随着微流控芯片制造工艺和纳米加工技术的不断发展，纳米沟道、纳米膜等纳米结构开始集成到微流控芯片上，这使得一项新技术——纳流控芯片技术应运而生。由于纳流控芯片最小通道尺寸从微米进入到纳米，使得纳流控芯片通道内壁性能...
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- 关键词：流体特性
- 文献传递
- 高速二维运动轨迹非接触光电检测新方法
- 本发明属于光电系统领域，提供了一种高速二维运动轨迹非接触光电检测新方法。通过CMOS图像传感器不断捕捉基板的图像，经过数字信号处理器时频分析并提取特征值Δx和Δy，保存至寄存器，标记为位置1,等待读取并进行连续标记；US...
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- 硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法研究被引量：1
- 2015年
- 文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4F_8)下电极射频功率为40 W)和11 s/2 s(C_4F_8下电极射频功率为0 W)的三步刻蚀工艺,贯穿刻蚀了宽度为150μm,深度为300μm的直壁沟槽。其次,研究了C_4F_8(八氟环丁烷)钝化气体对SiO_2薄膜过刻蚀的现象,采用降低C4F8下电极射频功率方法,减小了C4F8对SiO_2薄膜过刻蚀。
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- 关键词：深反应离子刻蚀射频功率SIO2薄膜
- 一种低成本微纳一体化结构的制作方法
- 本发明属于微机电系统（MEMS）领域，涉及一种低成本微纳一体化结构的制作方法。其特征是利用侧墙工艺制作出纳米硅模具，再利用剥离工艺制作出微米石英模具，然后通过类似紫外纳米压印的方法，将紫外固化光刻胶旋涂在纳米硅模具上，将...
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- 一种带有纳米尺度通道的SU-8胶电液动力射流喷针制造方法
- 一种制备带有纳米尺度通道的SU‑8胶电液动力射流喷针的热压印‑紫外曝光制造方法,采用两次PDMS浇注和氧等离子体处理方法，制造出镶嵌掩膜胶片的微纳复合尺度PDMS模具。然后在硅片上光刻出BP212牺牲层，蒸镀一层Al作为...
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