祁文涛
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：牡丹江师范学院更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省科技攻关计划城市水资源与水环境国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学环境科学与工程一般工业技术更多>>
- 直流热阴极PCVD法掺氮纳米金刚石薄膜形貌及结构的影响
- 2011年
- 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,通过在CH4/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜。结果表明随着氮气流量的增加,金刚石薄膜表面形貌发生明显变化:晶粒细化,晶界和缺陷有所增多,膜层由尺寸较大微晶颗粒转向纳米级菜花状结构,并且薄膜表面粗糙度相应变小。同时薄膜中非金刚石组份相对逐渐增多。氮气的引入可以促进金刚石二次形核,抑制金刚石大颗粒生长,对薄膜的生长取向、形貌及结构都产生一定影响。
- 王明磊彭鸿雁尹龙承祁文涛姜宏伟
- 关键词：PCVD掺氮
- 间歇生长模式高甲烷浓度制备纳米金刚石膜被引量：2
- 2010年
- 采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征。研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜。
- 姜宏伟彭鸿雁陈玉强祁文涛王军曲晏宏
- 掺硼金刚石膜电极制备及其电化学性能研究
- 2012年
- 采用热阴极直流辉光等离子体CVD技术制备了掺硼金刚石膜电极(BDD),利用扫描电子显微镜,激光拉曼光谱仪对电极进行了表征,通过循环伏安法和苯酚降解实验证明所制备的BDD电极具有优良的电催化性能。
- 赵立新胡巍祁文涛王明磊彭鸿雁陈玉强姜宏伟尹龙承黄海亮
- 关键词：BDD电催化苯酚降解
- 掺硼金刚石膜电极电化学特性的研究被引量：8
- 2010年
- 采用直流热阴极CVD法制备掺硼金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品进行了表征,利用电化学循环伏安法测试了掺硼金刚石膜电极的电化学特性.结果表明,该方法制备的掺硼金刚石膜电极有宽的电势窗口、很高的析氧电位和良好的稳定性.
- 祁文涛彭鸿雁姜宏伟
- 关键词：掺硼金刚石膜电极电化学特性循环伏安法
- 苯酚在硼掺杂金刚石薄膜电极上的电化学降解特性研究
- 采用直流热阴极化学气相沉积系统,以CH4、H2和B(OCH3)3为反应气体,硅为衬底材料制备了硼掺杂金刚石薄膜电极。以苯酚为目标污染物,研究了苯酚在电极上的电化学降解特性,结果表明：苯酚在电极上能够完全矿化成CO2和H2...
- 吕江维高娜冯玉杰彭鸿雁陈玉强姜宏伟祁文涛
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- 直流热阴极CVD法中硼酸三甲酯流量对掺硼金刚石膜制备的影响
- 2010年
- 采用直流热阴极CVD方法,以液态硼酸三甲酯为硼源,在P型(100)硅基片上制备了掺硼金刚石(BDD)膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)等方法对样品进行了表征,研究了其生长特性,并利用电输运特性测试系统对其电阻率进行了测试。结果表明,随着硼酸三甲酯流量的增加,晶体的表面逐渐光滑平整、棱角清晰;掺硼金刚石膜的品质呈先上升后下降的趋势;电阻率呈先下降后达到平稳的趋势,最终达到约8.0×10^(-3)Ω·cm。硼掺杂明显改变了金刚石晶体的组成结构。
- 祁文涛彭鸿雁陈玉强姜宏伟王明磊尹龙承
- 关键词：CVD
- 人工干预二次形核研究
- 2013年
- 采用直流热阴极PCVD技术,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,通过人工干预实现二次形核,制备纳米晶金刚石膜。金刚石膜周期性生长过程分为沉积阶段和干预阶段,沉积阶段时间为20 min,干预阶段将沉积温度降低到600℃,时间为1 min,然后恢复到生长温度,一个生长周期为21 min,总的沉积时间为6 h。实验分为高、低气压和高、低温度的四种组合,并与连续生长模式进行了对比。采用拉曼光谱仪、SEM对样品进行了分析,除高气压和高温度条件外,其它三组实验的金刚石膜的1332 cm-1拉曼峰展宽明显、金刚石膜晶粒小于100 nm,样品都具有纳米晶特征。结果表明直流热阴极PCVD技术的人工干预方法,可以导致金刚石膜生长过程的二次形核行为发生,制备出纳米金刚石膜。
- 姜宏伟孔德贵刘力张艳萍祁文涛王军
- 温度对直流热阴极化学气相沉积硼掺杂金刚石薄膜的影响(英文)被引量：1
- 2010年
- 为了获得高品质的硼掺杂金刚石薄膜,采用直流热阴极化学气相沉积法在不同的温度下制备了硼掺杂金刚石薄膜。利用等离子体发射光谱、扫描电子显微镜、X射线衍射和Raman光谱研究了温度对硼掺杂金刚石薄膜生长特性的影响。研究发现:等离子体活性基团 C2的浓度随温度升高而增加。除了1080℃时生长的薄膜存在孔洞外,在较宽的温度范围(800～1000℃)都能够生长高质量的硼掺杂金刚石薄膜,并随温度升高薄膜质量和晶体结晶度都有所提高。与未掺杂生长的金刚石薄膜相比,掺硼薄膜即使在较低的温度(800℃)时也没有出现非金刚石相。这主要是因为掺杂剂B(OCH3)3 在气相反应中能够生成含氧活性基团,对非金刚石相具有很强的刻蚀作用。
- 吕江维冯玉杰高娜彭鸿雁陈玉强姜宏伟祁文涛
- 关键词：化学气相沉积金刚石薄膜RAMAN光谱
- 掺硼金刚石膜的制备及其电化学性质研究
- 采用直流热阴极CVD方法,以液态硼酸三甲酯作为硼源,在P型(100)硅衬底上制备了掺硼金刚石(BDD)膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)等方法对样品进行了表征,利用电化学工作站测试了...
- 祁文涛
- 关键词：CVD电化学特性
- 文献传递
