董金珠
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- 光敏面积对小光斑法测量光谱响应率的影响被引量：2
- 2007年
- 通过对光电二极管结构和工作原理及光谱响应特性的分析,探讨了在相同工艺条件下,硅光电探测器的小光斑法测试过程中,不同大小光敏面得到不同光谱响应曲线问题。参考一维分析,建立了简化的二维分析方法,并做出定性的分析以及定量的计算,得到与测试一致的结果:光敏面积对响应率的光谱特性的影响为短波基本无变化,长波随光敏面积的减小而减小,为以后的测试改进提供了参考。
- 杨叶飞董金珠张学敏梁平治
- 关键词：光谱响应光敏面
- 硅全耗尽背照式光电二极管列阵的研制
- 2008年
- 在高电阻率的N型硅衬底上制作出全耗尽背照式的光电二极管。电阻率约为15000Ω.cm的硅衬底可以得到几百微米深的耗尽区,而通过在光电二极管的正背面施加一定的偏压就可以使其工作在全耗尽背照式的模式下。背面的浅结可以得到比较好的短波响应,而相对大的耗尽宽度可以在近红外处得到比较好的响应。测试结果表明器件在偏压为30V时,1μm处的峰值响应达到0.72A/W,量子效率达90%。
- 董金珠梁平治江美玲
- 关键词：全耗尽背照式
- 用吉时利4200-SCS和590 CV分析仪测试MOS结构的界面态
- 本文用吉时利4200-SCS和590CV分析仪测出MOS结构的高低频C-V特性曲线,计算出MOS结构Si/SiO2的界面态密度与电压的关系.根据MOS结构上所加电压与表面势的关系,以及在禁带中表面势与能量之间的关系,求出...
- 董金珠刘海涛张建新江美玲梁平治
- 关键词：吉时利界面态分析仪
- 文献传递
- 基于keithley model 590对微悬臂梁电容的测试
- 本文在硅基上制作的微悬臂梁和硅衬底组合形成微悬臂梁电容.微悬臂梁在吸收红外辐射后温度变化并弯曲,导致微悬臂梁电容大小发生改变.利用测微小电容的keithleymodel590可检测微悬臂梁电容的微小变化,从而得到红外辐射...
- 刘海涛董金珠陈永平梁平治
- 关键词：KEITHLEY微悬臂梁电容
- 文献传递
- 单片集成于SOI上的光电探测器
- 2004年
- 介绍了SOI基片的制作,和在SOI上集成光电二极管和电路得到光电探测器的几种方法,以及目前在SOI上做出来的各种光电二极管的结构与特性。
- 董金珠江美玲梁平治
- 关键词：光电探测器光电二极管单片集成
- 硅基高响应率CMOS集成光电探测器阵列的研制
- 硅基高响应率CMOS集成光电探测器将高响应率的光电二极管和CMOS读出电路集成在一起，采用了制作成本较CCD低的成熟的CMOS技术，可以制作出大规模的阵列，并且可以在近紫外至近红外波段有较高的量子效率，将来会代替CCD，...
- 董金珠
- 关键词：光电探测
- 硅全耗尽背照式光电二极管的光谱响应
- 2009年
- 建立了一个预测硅全耗尽背照式光电二极管响应率的解析模型。分析了所加反偏压与光谱响应之间的关系,解出了硅全耗尽背照式光电二极管的响应率和器件各参数之间的关系,并根据选定参数值计算出了给定外加偏压下400～1100nm范围的光谱响应曲线,预测探测器光谱响应峰值在1μm,峰值响应率达到0.72A/W。实测结果表明:器件峰值响应与预测一致,反偏压对响应率的影响与预测相同,即响应率随着反偏压的升高而增大。并且在各种反偏压下的光谱响应曲线形状与预测基本吻合,证明了建立的模型可以正确地预测器件性能。
- 董金珠梁平治江美玲
- 关键词：光谱响应全耗尽背照式
