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文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇通孔
  • 5篇子层
  • 3篇电镀
  • 3篇淀积
  • 3篇阻挡层
  • 3篇盲孔
  • 3篇干膜
  • 2篇电镀过程
  • 2篇掩膜
  • 2篇自底向上
  • 2篇芯片
  • 2篇互联
  • 1篇单层膜
  • 1篇倒装芯片
  • 1篇钝化
  • 1篇钝化剂
  • 1篇失效形式
  • 1篇自组装
  • 1篇自组装单层
  • 1篇自组装单层膜

机构

  • 8篇华中科技大学

作者

  • 8篇薛栋民
  • 7篇廖广兰
  • 6篇史铁林
  • 6篇独莉
  • 6篇宿磊
  • 5篇张昆
  • 3篇陆向宁
  • 1篇张昆

传媒

  • 2篇半导体光电

年份

  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种通孔互联结构的制作方法及其产品
本发明公开了一种通孔互联结构的制作方法,包括:(a)在基片的一个表面上加工制得盲孔;(b)在加工盲孔的整个基片表面上依次淀积绝缘层和阻挡层;(c)在基片含阻挡层的表面上平铺贴合感光干膜并对其执行曝光显影处理,形成露出盲孔...
廖广兰史铁林薛栋民独莉张昆宿磊陆向宁
文献传递
基于双向填充的通孔互联结构制作方法及其产品
本发明公开了一种基于双向填充的通孔互联结构制作方法,包括:(a)在基片第一表面上加工制得第一盲孔;(b)在第一表面上淀积绝缘层、阻挡层和种子层;(c)在第二表面上套刻加工制得第二盲孔,且其深度止于露出第一盲孔中的绝缘层;...
廖广兰史铁林薛栋民独莉张昆宿磊陆向宁
文献传递
一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法及其产品
本发明公开了一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法,包括:(a)在基片的一个表面上加工制得盲孔;(b)在加工盲孔的基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层;(c)向种子层表面上涂布光刻胶并填平盲孔,然后执行曝光及显影处理...
廖广兰薛栋民史铁林宿磊独莉张昆
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钝化剂自组装单层膜在铜铜键合工艺中的应用
2014年
解决铜铜键合工艺中的铜氧化问题对于三维集成技术具有重要意义。选用1-己硫醇做临时钝化剂,通过自组装形式形成单层膜附着于铜表面,以防止铜在存放时与空气接触而发生氧化,键合前再使用乙醇等有机溶剂去除该单层膜。为了评估1-己硫醇的钝化效果,采用接触角作为主要指标对实验结果进行评价。研究表明,样片表面经过1-己硫醇处理后,接触角极大增加,并在空气中长时间保持稳定,说明1-己硫醇具有良好的钝化效果,采用此方法得到了高质量的铜铜热压键合样片。
独莉廖广兰张昆宿磊薛栋民
关键词:自组装单层膜钝化接触角
一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法及其产品
本发明公开了一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法,包括:(a)在基片的一个表面上加工制得盲孔;(b)在加工盲孔的基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层;(c)向种子层表面上涂布光刻胶并填平盲孔,然后执行曝光及显影处理...
廖广兰薛栋民史铁林宿磊独莉张昆
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应用于TSV互连的电镀填充工艺研究
为了降低特征尺寸、解决互连延迟等问题,三维集成技术开始成为封装领域的研究热点,其中TSV技术是其中的主流,也被誉为第四代封装技术。在TSV技术中,硅孔的填充质量将直接影响到三维封装芯片的性能。本文从TSV电镀技术入手,阐...
薛栋民
关键词:芯片封装
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基于双向填充的通孔互联结构制作方法及其产品
本发明公开了一种基于双向填充的通孔互联结构制作方法,包括:(a)在基片第一表面上加工制得第一盲孔;(b)在第一表面上淀积绝缘层、阻挡层和种子层;(c)在第二表面上套刻加工制得第二盲孔,且其深度止于露出第一盲孔中的绝缘层;...
廖广兰史铁林薛栋民独莉张昆宿磊陆向宁
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铝/镍/铜UBM厚度对SnAgCu焊点的力学性能及形貌影响被引量:2
2014年
研究了倒装芯片中UBM制备和焊球回流工艺流程。通过改变阻挡层Ni和浸润层Cu的厚度,结合推拉力测试实验,探究了SnAgCu焊点剪切强度的变化规律。研究结果表明,UBM中阻挡层Ni对SnAgCu焊点的力学性能影响最大,而浸润层Cu厚度的增加也能提高SnAgCu焊点的力学性能。进一步对推拉力实验后的焊点形貌进行了SEM观察和EDS分析,得到了焊盘剥离、脆性断裂、焊球剥离、韧性断裂四种不同的焊点失效形式,代表着不同的回流质量,而回流质量主要由UBM的成分和厚度决定。研究结果为倒装焊工艺的优化提供了理论指导。
薛栋民廖广兰史铁林
关键词:倒装芯片阻挡层失效形式
共1页<1>
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