袁果
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>
- 氧分压对掺钼氧化铟透明导电薄膜光电性能的影响被引量：4
- 2011年
- 采用射频磁控反应溅射法在k9玻璃衬底上制备了In2O3:Mo(IMO)透明导电薄膜,分析了不同氧分压条件下IMO薄膜的晶体结构、化学成分及光电性能。结果表明:不同氧分压下制备的IMO薄膜具有不同晶粒的取向性;随着氧分压的增加,薄膜的载流子浓度、载流子迁移率先增加后减小;薄膜的电阻率呈现先增加再减少然后再增加的趋势。在可见及近红外区,有氧气氛下制备的IMO薄膜的平均透过率大于80%以上,并随氧分压的升高而增大。
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- 关键词：氧分压电学性能光学性能
- ZnS上HfON保护膜及增透膜系的制备和性能研究被引量：2
- 2009年
- 用氮氧化铪薄膜作为CVDZnS衬底的保护膜、由YbF3和ZnS组成的增透膜系分别在CVDZnS的两面制备了保护膜和增透膜,研究了镀膜前后CVDZnS在8-12μm波段的光学性能,单面镀制增透膜之后CVDZnS在此波段的平均透过率由未镀膜前的74%提高到了82%,峰值透过率大于83.5%。在CVDZnS上镀制HfON保护膜后,其8-12μm波段透过率没有明显的降低,同时硬度测试表明HfON薄膜的硬度约为11.6 GPa,远大于衬底CVDZnS的硬度。胶带实验和泡水试验表明,制备的保护膜和增透膜均和衬底有很好的附着力。
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- 关键词：增透膜
- ZnSe基底7～14μm波段宽带增透膜
- 本文简要叙述了7~14μm波段红外增透膜的膜料选择以及硒化锌基底上高性能红外增透膜的设计和工艺研究.介绍了离子辅助沉积技术沉积该膜的的工艺过程.给出了用该方法制备的7~14μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率...
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- 沉积温度对IMO透明导电薄膜光电性能的影响被引量：4
- 2010年
- 采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能。结果表明:不同沉积温度下IMO薄膜均具有(222)择优取向。随着沉积温度的升高,IMO薄膜的载流子浓度增大、载流子迁移率增大、电阻率减小;沉积温度为350℃时,薄膜的最低电阻率为6.9×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.15×1020cm-3,迁移率为45 cm2V-1s-1。在可见及近红外区,IMO薄膜的平均透过率大于80%以上。在近红外区,薄膜透过率随沉积温度的升高而增大;在中红外区,由于载流子的吸收,薄膜透过率迅速下降。
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- 关键词：射频磁控反应溅射电学性能光学性能
