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氟化钡晶体光学透射的伽马辐照诱导损伤效应被引量：2: 1992年; 用脱氧剂非真空环境下 Stockbager 方法生长未掺和掺 La 的 BaF_2晶体.测量块状晶体光学透射的^(60)Co 的10~6radγ辐照损伤效应,提供辐照过程中色心形成和辐照后短期恢复信息,经退火和乙醇抛光后晶体透射已完全恢复到未辐照前的值.; 沈定中刘建成苏伟堂潘志雷王效仙袁湘龙殷之文; 关键词：氟化钡

纯CsI晶体发光特性被引量：4: 1997年; 测量了用Stockbager方法生长的纯CsI晶体的光学透射、X射线激发的发射谱、能谱特性和衰减时间特性．该晶体有二个闪烁分量，峰值位于310nm的发光分量是快分量（＜40ns），450um处的发光分量是慢分量（～2．4μs）．慢分量的发光强度不稳定，并受晶体中缺陷I-空位的影响较大．文中还给出快、慢发光强度比值91．8％．; 沈定中邓群袁湘龙张黎星殷之文; 关键词：晶体缺陷发光性

生长大尺寸、高质量氟化铅(PbF2)晶体的新技术: 本发明给出在非真空、不加压、不通气氛的条件下，在普通的、自已能搭建的生长氧化物晶体的生长炉内用下降法生长出在高温下极易分解的PbF2晶体，生长出的晶体光学透光率好。;本发明使生长PbF2晶体的复杂的工艺条件变得非常简便，...; 沈定中殷之文袁湘龙洪虹张黎星李培俊; 文献传递

大尺寸氟化铅晶体的生长被引量：4: 1995年; 描述了不用高真空条件，在通常的Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ炉中，用高温下的反应方法，消除了原料及生长炉内残存的Ｏ￣（２－）及ＯＨ￣－，生长出优质、大尺寸的β－ＰｂＦ＿２晶体。在晶体生长时，出现的主要问题是在晶体中的针状结构及开裂，但可通过控制工艺条件来解决。; 沈定中袁湘龙张黎星邓群李培俊殷之文; 关键词：晶体生长

PbF_2：Gd，Eu晶体X射线激发的发射光谱被引量：3: 1995年; 用脱氧剂非真空环境下、Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ方法生长未掺和掺钆和铕的、浓度范围在０．１～０．２ｗｔ％的ＰｂＦ２：β晶体．本文报导Ｘ射线激发ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的Ｇｄ３＋发射．揭示了分别来自６Ｐ和６Ｉ多重态３１２．５和２７７．４ｎｍ发射带，而６Ｄ→８Ｓ发射被点阵再吸收．６Ｉ的发射强度低于６Ｐ，说明６Ｐ能级优先占据．室温下以Ｘ射线激发在３６８．９和８１４．５ｎｍ之间观察到１４条Ｅｕ３＋离子的荧光线，并指定这些立方Ｅｕ３＋位荧光线．其中，△Ｊ＝１磁偶极线非常强．ＰｂＦ２：０．２ｗｔ％Ｇｄ２Ｏ３的总的发射强度稍高于ＰｂＦ２：０．１ｗｔ％Ｇｄ２Ｏ３．但是，对于ＰｂＦ２：０．２ｗｔ％Ｅｕ２Ｏ３和ＰｂＦ２：０．１ｗｔ％Ｅｕ２Ｏ３，他们总的发射强度相近．; 沈定中刘建成袁湘龙邓群殷之文; 关键词：晶体 X射线发射光谱铕电磁量能器

下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术: 本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体，属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸CsI晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂，晶体应力大，多晶严重，容易开裂，性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长，主要技...; 沈定中殷之文袁湘龙张黎星李培俊邓群; 文献传递

BaF_2：Ce，La，Eu晶体的光谱性质被引量：7: 1994年; 用脱氧剂非真空环境下Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ方法生长未掺和掺铈、镧、铕的浓度范围在１００～５０００ｐｐｍｗｔ的ＢａＦ２晶体．脱氧剂生长方法具有设备简单，不用抽真空和批量生产透明大单晶的特点．测量了这些晶体在室温下透射、激发，以及Ｘ射线和紫外光激发的发射光谱．由Ｘ射线激发，掺杂１０００ｐｐｍ的Ｃｅ样品具有峰值在３０７ｎｍ和３２１ｎｍ二个发射带，被归为放没有其它邻近铈离子条件下Ｃｅ（３＋）的５ｄ－４ｆ跃迁．对于掺杂５０００ｐｐｍ的Ｃｅ晶体，新的发射带出现在峰值为３４０ｎｍ的３２６～３７５ｎｍ范围．新的发射带仍是Ｃｅ（３＋）离子５ｄ－４ｆ跃迁引起的，与其它邻近Ｃｅ离子相互作用，使５ｄ能级朝着较低能量迁移．１０００ｐｐｍ的样品具有最大发光强度，以及闪烁波长＞３００ｎｍ具有封闭电子壳层外加阳离子Ｌａ（３＋）很少影响心一价带跃迁（ＣＶＴ），但是降低慢分量（激子）发射强度．ＢａＦ２：１ｗｔ％Ｌａ样品的快／慢分量比＞纯的样品的快／慢分量比．镧杂质抑制慢分量，并保持未掺ＢａＦ２辐照硬度．Ｘ射线激发ＢａＦ２：１００ｐｐｍＥｕ发射光谱呈现二个部分：相对强的３００ｎｍ本征慢分量发光，以及～４３０和５９０ｎｍＥｕ（２＋）离子二个特征弱?; 沈定中刘建成袁湘龙殷之文; 关键词：氟化钡铈镧铕

下降法生长大尺寸碘化铯(CSI)晶体新技术: 本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体，属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸CsI晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂，晶体应力大，多晶严重，容易开裂，性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长，主要技...; 沈定中殷之文袁湘龙张黎星李培俊邓群; 文献传递

BaF＿2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响: 1994年; ２７ｋｅＶＡｒ￣＋离子束沿法向分别入射在ＢａＦ＿２单晶（１１１），（１００）和（１１０）的晶面上，用捕获器方法和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射分析法测定了Ｂａ原子的溅射角分布和溅射产额。结果发现不同取向的晶体表面，它们的溅射产额有明显差异。当用剂量为５×１０￣１７ｉｏｎ／ｃｍ的Ａｒ￣＋离子分别轰击这三种晶面时，其溅射产额的顺序Ｙ＿（１００）＞ｙ＿（１１１）＞ｙ＿（１１０）．对已被上述剂量辐照过的晶面再作相同剂量轰击时，测得的溅射产额明显增大。这些结果被认为是由于在离子辐照过程中表面晶格受损逐步增大所致。; 陶振兰王震遐朱福英章骥平潘冀生周祖尧沈定中袁湘龙华素坤; 关键词：氟化钡晶体溅射

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袁湘龙

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