您的位置： 专家智库 > >

张黎星

作品数：6 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇晶体
  • 4篇大尺寸
  • 3篇下降法
  • 2篇能量分辨率
  • 2篇坩埚下降法
  • 2篇坩埚下降法生...
  • 2篇晶体生长
  • 2篇光产额
  • 2篇产额
  • 1篇陶瓷
  • 1篇体缺陷
  • 1篇透光率
  • 1篇晶体光学
  • 1篇晶体缺陷
  • 1篇固溶
  • 1篇固溶体
  • 1篇光学
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇发光性

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇张黎星
  • 5篇殷之文
  • 5篇沈定中
  • 5篇袁湘龙
  • 4篇邓群
  • 4篇李培俊
  • 1篇赵芳
  • 1篇江峰
  • 1篇周学农
  • 1篇洪虹

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
大尺寸氟化铅晶体的生长被引量：4
1995年
描述了不用高真空条件，在通常的Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ炉中，用高温下的反应方法，消除了原料及生长炉内残存的Ｏ￣（２－）及ＯＨ￣－，生长出优质、大尺寸的β－ＰｂＦ＿２晶体。在晶体生长时，出现的主要问题是在晶体中的针状结构及开裂，但可通过控制工艺条件来解决。
沈定中袁湘龙张黎星邓群李培俊殷之文
关键词：晶体生长
(Ba_(0.3)Pb_(0.7))TiO_3基 PTCR 材料的研究被引量：1
1993年
用工业级纯度的 TiO_2和 Pb_3O_4原料,采取普通的混合氧化物工艺,制备出以(Ba_(0.3)Pb_(0.7)TiO_3固溶体为基的高居里温度点(T_c=400℃)PTCR 材料.材料电阻在铁电相变点附近的突变达3.76个数量级,室温电阻率为5.0×10~2Ω·cm,瓷片的体积密度为7.02g/cm^2.通过对(Ba_(0.3)Pb_(0.7))TiO_3基固溶体系统的研究发现:Al_2O_3和 SiO_2是本系统中有用的添加物,它们能够显著地增加材料的 PTCR 效应;另外还发现添加适量的 Mn^(++)离子也能改善材料的 PTCR效应,但是,随着固溶体中铅含量的增加,其改善作用逐渐减弱.
周学农江峰赵芳张黎星李嘉王世敏
关键词：PTCR固溶体陶瓷
纯CsI晶体发光特性被引量：4
1997年
测量了用Stockbager方法生长的纯CsI晶体的光学透射、X射线激发的发射谱、能谱特性和衰减时间特性．该晶体有二个闪烁分量，峰值位于310nm的发光分量是快分量（＜40ns），450um处的发光分量是慢分量（～2．4μs）．慢分量的发光强度不稳定，并受晶体中缺陷I-空位的影响较大．文中还给出快、慢发光强度比值91．8％．
沈定中邓群袁湘龙张黎星殷之文
关键词：晶体缺陷发光性
生长大尺寸、高质量氟化铅(PbF2)晶体的新技术
本发明给出在非真空、不加压、不通气氛的条件下，在普通的、自已能搭建的生长氧化物晶体的生长炉内用下降法生长出在高温下极易分解的PbF2晶体，生长出的晶体光学透光率好。;本发明使生长PbF2晶体的复杂的工艺条件变得非常简便，...
沈定中殷之文袁湘龙洪虹张黎星李培俊
文献传递
下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术
本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体，属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸CsI晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂，晶体应力大，多晶严重，容易开裂，性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长，主要技...
沈定中殷之文袁湘龙张黎星李培俊邓群
文献传递
下降法生长大尺寸碘化铯(CSI)晶体新技术
本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体，属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸CsI晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂，晶体应力大，多晶严重，容易开裂，性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长，主要技...
沈定中殷之文袁湘龙张黎星李培俊邓群
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0