袁辉
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Y^(3+):PbWO_4晶体低剂量辐照行为研究
- 2002年
- 三价稀土离子(Ｌａ３＋、Ｌｕ３＋和Ｙ３＋等)掺杂显著地提高了钨酸铅晶体的辐照硬度,但是部分Ｙ３＋掺杂钨酸铅晶体表现出特殊的低剂量辐照行为,即光产额辐照后升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感 本研究挑选了存在这一现象的Ｙ３＋:ＰｂＷＯ４晶体,测试不同温度的退火处理对晶体透过率、光产额和辐照硬度的关系,发现:辐照后光产额升高的现象同时存在于晶体的晶种端,而不是只集中在晶体顶端,并且和辐照前后晶体在４００~５００ｕｍ波段附近的透过率变化有关;生长态Ｙ３＋:ＰＷＯ晶体中导致４３０ｕｍ吸收带的色心的稳定性很低,低剂量辐照对该色心有“漂白”作用,辐照剂量率加大则晶体表现出光产额的降低;分段晶体的系列退火实验解释了辐照硬度对退火温度较为敏感这一现象,为进一步深入研究提供了实验基础．
- 张昕廖晶莹袁辉沈炳孚邵培发李长泉殷之文
- 关键词：钨酸铅晶体掺杂钇
- 坩埚下降法大尺寸钨酸铅晶体的制备
- 严东生殷之文廖晶莹沈炳孚邵培法童乃柱袁辉谢建军杨培志周乐平方全兴倪海洪刘光煜李培俊薛志麟熊巍展宗贵陈良朱祥宇
- 该项目设计并建造了多台能满足批量PWO晶体生长要求的多坩埚下降法晶体生长炉，一个炉次能同时生长28根大尺寸PWO晶体；通过研究杂质离子对PWO晶体闪烁性能的影响，确定了原料中的有害杂质离子，通过工艺控制，获得了高纯原料P...
- 关键词：
- 关键词：钨酸铅大尺寸
- Si^(4+)离子对Y^(3+):PbWO_4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响
- 2002年
- Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.
- 张昕廖晶莹谢建军沈炳孚邵培发李长泉袁辉殷之文
- 关键词：钨酸铅掺杂
