赵琳娜
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：江南大学信息工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- SOI SRAM灵敏放大器中动态体放电技术研究被引量：2
- 2006年
- 在SOI SRAM锁存器型灵敏放大器中,设计了一对小的下拉管,用来动态地释放交叉耦合反相器中N管上的体电荷。这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOI CMOS器件体电位不匹配的问题,得到了可重复性低阈值电压,提高了SRAM的读取速度。
- 赵琳娜潘培勇陶建中薛忠杰
- 关键词：绝缘体上硅SRAM灵敏放大器
- SOI SRAM测试研究
- 2007年
- SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型。基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码。
- 赵琳娜王春早宿吉伟陶建中
- 关键词：静态存储器
- 一种新型地址变化探测技术在SRAM中的应用被引量：2
- 2007年
- 本文提出了一种采用两级电路实现的地址变化探测器。与传统地址变化探测电路相比较,该设计显著提高了SRAM的抗噪声、抗干扰能力。
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- 关键词：静态随机存取存储器触发器
- UART波特率发生电路设计被引量：2
- 2010年
- 设计了一种基于"ATD+迭代法"的UART波特率发生电路。波特率发生电路中的ATD电路用于监测串行数据的变化,并在串行数据的边沿(上升沿或下降沿)输出低电平信号。波特率探测电路对ATD电路的输出信号的低电平和高电平分别进行计数,该计数值和保持寄存器中存储的最小值比较,若前者小于后者,则保存寄存器中的最小值被该计数值取代,若前者大于后者,则保存寄存器中的最小值不变。经过一段时间比较迭代,最终得到设计需要的最小值,从而通过波特率发生器正确地输出串行数据的波特率。
- 赵琳娜赵煌李红征
- 关键词：通用异步收发器
- SOI SRAM测试研究
- SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制造的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型。基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设...
- 赵琳娜潘培勇陶建中
- 关键词：绝缘体上硅静态存储器浮体效应
- 文献传递
