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邹睿

作品数:9 被引量:9H指数:2
供职机构:四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学核科学技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇核科学技术

主题

  • 4篇激光
  • 3篇电子辐照
  • 3篇质子
  • 3篇退火
  • 3篇自由电子
  • 3篇晶闸管
  • 3篇光谱
  • 2篇多量子阱
  • 2篇质子辐照
  • 2篇退火研究
  • 2篇自由电子激光
  • 2篇量子阱材料
  • 2篇红移
  • 2篇辐照效应
  • 2篇GAAS/A...
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇多量子阱材料
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结构材料

机构

  • 9篇四川大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 9篇邹睿
  • 8篇林理彬
  • 3篇张猛
  • 3篇李永贵
  • 2篇廖志君
  • 2篇张国庆
  • 1篇王鹏
  • 1篇卢勇
  • 1篇张国庆
  • 1篇邹萍
  • 1篇甘荣兵
  • 1篇何捷

传媒

  • 2篇中国激光
  • 2篇原子能科学技...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 2篇2000
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究
2003年
 利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低。分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化,对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较。
邹睿林理彬张猛张国庆李永贵
关键词:红移半导体材料
自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究被引量:1
2003年
利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响。用波长为 8 92μm ,光功率密度相应于电场强度为 2 0kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱 6 0min ,发现量子阱特征峰 797nm经过辐照后峰值发生红移至 812nm ,波形展宽 ,峰高降低。对此结果进行了讨论 ,并与电子辐照的情况做了比较。
邹睿林理彬张猛张国庆李永贵
关键词:激光技术红移
自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响被引量:2
2003年
自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2DEG)的迁移率、电子浓度和电阻率。对比这两种情况下的结果可以发现:1)迁移率随温度升高而降低,光照使迁移率增大;2)电子浓度随温度变化关系相对较为复杂,但是平均而言,光照会使电子浓度减小;3)电阻率随温度升高而升高,光照使电阻率减小,但这种影响不明显。对这些现象给出了具体的分析。
张猛林理彬邹睿张国庆李永贵
关键词:电学性质自由电子激光异质结构材料二维电子气辐照效应
多束质子辐照晶闸管的退火研究被引量:2
2001年
研究了多束质子辐照对晶闸管开关特性和通态电压的影响,分析了退火机理,找出了最佳退火流程,获得了优良的通态电压与关断的时间(VTM-Tq)的折衷关系。
邹睿林理彬
关键词:晶闸管退火
带电粒子辐射对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响被引量:4
2002年
利用光荧光谱研究了带电粒子辐照对 Ga As/Al Ga As多量子阱光学性质的影响。用能量为 1 Me V、注量为 1 0 1 3~ 1 0 1 6 /cm2 的电子辐照 ,模拟太空环境下范艾仑带对多量子阱的辐射。辐射后在 45 0℃真空环境下退火 5分钟 ,测量了辐照前后材料的荧光谱。发现量子阱特征峰 772 nm(E=1 .61 e V)辐照后峰位不变 ,峰高有所降低 ,但退火后峰高有所恢复 ,仍比辐照前要低 ;注量为 1 0 1 6 /cm2 的样品中 Ga As的 D0 ~ A0 对复合发光峰 83 2nm(E=1 .49e V)消失。对此结果进行了讨论 ,并与质子辐照的情况作了比较。
邹睿林理彬
关键词:电子辐照退火光荧光谱
关于多束质子辐照晶闸管的退火研究
2001年
作者研究了多束质子辐照对晶闸管开关特性和通态电压的影响 ,分析了退火机理 ,找出了最佳退火流程 ,获得了优良的通态电压与关断时间 (VTM~Tq)的折衷关系 .
邹睿林理彬
关键词:晶闸管退火
辐照对镁铝尖晶石透明陶瓷透过率的影响被引量:1
2000年
镁铝尖晶石透明陶瓷有很高的透过率 ,在电子和γ辐照后其透过率急剧下降 ,且从无色透明变成茶色透明 ,这主要是由于辐照产生了Ⅴ型吸收带的原故。虽然电子和γ辐照的宏观表现相同 ,但微观机理却不完全一致。
何捷林理彬卢勇邹萍王鹏甘荣兵邹睿廖志君
关键词:电子辐照Γ辐射透过率
高能质子辐照缺陷对晶闸管开关特性的影响
2000年
讨论了高能质子辐照产生缺陷类型及其对晶闸管开关特性的影响。不同能量的单束质子辐照和双束质子辐照晶闸管 ,提高了其开关特性。由红外吸收光谱得知 ,影响晶闸管通态压降的主要因素是单空位缺陷类型。
廖志君林理彬邹睿
关键词:晶闸管红外光谱
GaAs//AlGaAs多量子阱材料的辐照效应研究
本论文研究了GaAs/AlGaAs多量子阱材料的电子以及自由电子激光辐照效应。采用能量为1MeV、注量为10~/(13/)~10~/(16/)/cm~2的电子辐照,模拟太空环境下范艾仑带对多量子阱的辐射。测量了辐照前后样...
邹睿
文献传递
共1页<1>
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