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郑君
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
清华大学核能与新能源技术研究院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘道广
清华大学核能与新能源技术研究院
许军
清华大学信息科学技术学院微电子...
周伟松
清华大学核能与新能源技术研究院
胡冬青
北京工业大学电子信息与控制工程...
何仕均
清华大学核能与新能源技术研究院
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机构
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作者
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刘道广
2篇
郑君
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1篇
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1篇
周伟松
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严利人
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万欣
传媒
1篇
半导体技术
年份
1篇
2011
1篇
2010
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p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究
被引量:1
2011年
借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流和零栅电压时的漏-源泄漏电流均在纳安量级水平,二极管正向压降约为-1 V。采用2-D器件仿真方法以及相关物理模型对所设计的p沟VDMOS器件的单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅击穿(SEGR)效应进行了分析和研究,并通过对所获得的器件样片采用钴-60"射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平条件下辐照对所研制的p沟VDMOS器件相关电学参数的影响情况。
郑君
周伟松
胡冬青
刘道广
何仕均
许军
关键词:
单粒子烧毁
辐照
基于应变硅技术的P沟VDMOS器件
本发明公开了属于半导体器件结构范围的一种基于应变硅沟道的P沟VDMOS器件。是在VDMOS结构晶体管的结构基础上增加一层应变层,该应变层位于外延硅层与栅氧化层之间,在p型沟道区上表面生长的一层应变层,使形成的p型沟道区产...
刘道广
万欣
严利人
郑君
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