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郝鹏

作品数:5 被引量:19H指数:3
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇氧分压
  • 2篇光学
  • 2篇和光
  • 2篇HFO
  • 1篇导体
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇氧化铪
  • 1篇制备及性能
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇显微结构
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束辅助
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇晶体

机构

  • 5篇北京有色金属...
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 5篇张树玉
  • 5篇苏小平
  • 5篇郝鹏
  • 4篇刘伟
  • 4篇王宏斌
  • 3篇刘嘉禾
  • 2篇阎兰琴
  • 1篇余怀之
  • 1篇黎建明
  • 1篇刘伟
  • 1篇杨海
  • 1篇贺琪

传媒

  • 2篇激光与红外
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇北京金属学会...

年份

  • 3篇2008
  • 2篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
硫化锌衬底上氧化铪保护膜制备及性能研究被引量:6
2007年
采用磁控溅射法在硫化锌衬底上制备了氧化铪薄膜,并对氧化铪薄膜的结构和性能进行了分析和测试.结果表明,制备的氧化铪薄膜结构为单斜相,膜层致密,在8~12 μm波段对硫化锌衬底的透过率没有明显影响,硬度显著高于衬底的硬度,且与衬底结合良好,适合用作硫化锌的红外保护膜.
刘伟苏小平张树玉王宏斌郝鹏
关键词:硫化锌保护膜射频磁控溅射
ZnS上金刚石膜的过渡层设计和附着力研究被引量:6
2008年
CVD ZnS是中长波前视红外窗口和整流罩的合适材料,文中从折射率、热应力、透射波段和附着力等方面考虑,由实验设计出HfO2/非晶膜双层结构作为ZnS与金刚石保护膜间的过渡层,采用射频反应磁控溅射技术在ZnS表面制备过渡膜层,并采用划痕法研究了薄膜的显微结构对其与衬底间附着力的影响。结果表明,金刚石能够在HfO2/非晶膜过渡层上形核、生长,得到优质的保护膜,同时过渡层也缓解了金刚石膜与ZnS衬底间由于热膨胀系数的较大差异而引起的膜层脱落问题,单面沉积过渡层的ZnS在2~12μm范围具有增透膜的作用。与AlN/非晶膜组成的过渡层相比,HfO2/非晶膜组成的过渡层具有更小的残余应力。在典型实验条件下,该过渡层与ZnS衬底附着性良好,研究发现薄膜的显微结构对附着力的大小有重要影响,形成细小致密的柱状纤维结构,有利于提高附着力。
郝鹏张树玉黎建明杨海苏小平余怀之刘伟贺琪
关键词:过渡层ZNS金刚石膜附着力
氧分压对HfOzNy薄膜结构和光学性能的影响
本文用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜,沉积过程在氧气、氮气和氩气的气氛中进行,衬底为多光谱ZnS,沉积温度为室温.用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见分光光度计等分别研究了...
刘伟苏小平张树玉郝鹏王宏斌刘嘉禾阎兰琴
关键词:半导体薄膜磁控溅射晶体结构薄膜光学
文献传递
制备工艺条件对HfO_2薄膜结构和性能的影响被引量:8
2008年
用电子束蒸发、离子束辅助、反应磁控溅射三种方法在石英衬底上制备了氧化铪薄膜。利用掠角X射线衍射和扫描电镜分析了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的晶体结构和显微结构,用紫外-可见分光光度计、椭偏仪、和纳米硬度计分别测试了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的可见透射光谱、光学常数和硬度。结果表明薄膜的晶体结构、显微结构、光学性能和硬度等都与制备工艺有着密切的关系,电子束蒸发制备的薄膜为非晶相,而离子束辅助和反应磁控溅射制备的薄膜为多晶相,三种方法制备的氧化铪薄膜都为柱状结构,电子束蒸发和离子束辅助制备的薄膜色散严重,但反应磁控溅射制备的薄膜吸收较大,反应磁控溅射制备薄膜的硬度远大于电子束蒸发和离子束辅助制备薄膜的硬度。并分别用薄膜成核长大热力学原理和薄膜结构区域模型解释了不同工艺条件下氧化铪薄膜晶体结构和显微结构不同的原因。
刘伟苏小平张树玉郝鹏王宏斌刘嘉禾
关键词:电子束蒸发离子束辅助反应磁控溅射光学性能
氧分压对HfO_xN_y薄膜结构和光学性能的影响被引量:2
2007年
用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜。沉积过程在氧气、氮气和氩气的气氛中进行,衬底为多光谱ZnS,沉积温度为室温。用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪、紫外-可见分光光度计等分别研究了不同氧分压下HfOxNy薄膜的晶体结构、显微结构、光学性能等。XRD分析表明随着氧分压的降低,薄膜的晶体结构由氧化铪转变为氮氧化铪相;SEM和AFM分析表明不同氧分压下沉积的薄膜都为柱状结构,氧分压较低时薄膜表面粗糙度较大;镀膜之后,在0.35~2μm范围内,薄膜的透过率变化有显著差异,在2~12μm波段,薄膜透过率和未镀膜衬底透过率相当,变化不明显。
刘伟苏小平张树玉郝鹏王宏斌刘嘉禾阎兰琴
关键词:磁控反应溅射显微结构
共1页<1>
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