陈思
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京工业大学机械工程与应用电子技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学机械工程更多>>
- 退火工艺对硅通孔填充Cu微结构演化与胀出行为的影响
- 2016年
- 采用不同电流密度和外加剂浓度将Cu电镀填充到硅通孔(TSV)制作晶圆试样,将试样置于Ar气环境内进行退火处理.观测了硅通孔填充Cu(TSV-Cu)的胀出量和界面完整性,分析了电镀参数对填充Cu微结构(晶粒尺寸)以及微结构对填充Cu退火胀出量的影响.结果表明,电流密度和外加剂浓度影响TSV-Cu的晶粒尺寸.电流密度越高,晶粒尺寸越小;外加剂浓度越高,晶粒尺寸越小,但其影响程度不如电流密度显著.退火后,Cu的晶粒尺寸变大,TSV-Cu发生胀出,胀出量与Cu晶粒尺寸具有正相关的关系.随着TSV-Cu的胀出,Cu-Si界面发生开裂,裂纹沿界面层中的Cu种子层内部延伸.
- 陈思秦飞安彤王瑞铭赵静毅
- 关键词：退火微结构
- 网球拍动、静载应力分布的试验分析
- <正>一引言随着网球在全世界的普及,越来越多的人接触了这项运动。美国小将罗迪克曾在戴维斯杯男子网球团体赛世界组1/4决赛中以244.6公里的发球时速刷新了世界纪录。网球拍在比赛中受到网球瞬时冲击而断裂的情况经常发生。为研...
- 苏国火刘丽昆陈思胡强
- 文献传递
- TSV转接板组装工艺对微凸点可靠性的影响被引量：2
- 2015年
- TSV转接板组装工艺过程引起的封装结构翘曲和应力对微凸点可靠性有重要影响。该文采用有限元方法,分析了TSV转接板封装自上至下和自下至上两种组装工艺流程,通过比较工艺应力/应变和翘曲得到较优工艺流程;针对优选工艺流程,分析了不同工艺步微凸点的力学行为,重点关注封装结构中微凸点定位对微凸点可靠性的影响。结果表明:自上至下组装工艺流程较优;微凸点位置设计应尽量避开下填料边缘,当微凸点正好位于TSV上方时,微凸点阵列塑性功密度最低,且分布均匀,微凸点的这种定位设计最为合理。
- 陈思秦飞夏国峰
- 关键词：数值模拟可靠性
- 柔性四连杆机构的可靠性数值分析
- 利用MSC虚拟制造技术,综合运用MSC.PATRAN、MSC.NASTRAN和MSC.ADAMS系列软件结合NESSUS对四连杆机构的强度可靠性进行了数值分析。首先通过参数化柔性四连杆机构建模、确定四连杆机构随机变量的分...
- 蔡毅卿陈思王亲猛
- 关键词：四连杆机构可靠性MSC.SOFTWARE
- 文献传递
- 硅通孔转接板封装结构多尺度问题的有限元模型被引量：8
- 2015年
- 三维硅通孔转接板封装结构中,存在大量的微凸点与微焊球,尺寸相差3个数量级,这种结构多尺度给有限元分析模型的建立带来困难。以板级封装焊锡接点热疲劳寿命的有限元计算为目标,采用均匀化方法将芯片与转接板间的微凸点/下填料层以及转接板与基板间的微焊点/下填料层等效为均匀介质,以解决结构多尺度带来的网格划分困难。在对比分析了几种均匀化方案的基础上,建议在计算三维硅通孔转接板板级封装焊锡接点的热疲劳寿命时,芯片与转接板间的微凸点/下填料层以及转接板与基板间的微焊点/下填料层可采用各自的下填料层替代建模。
- 秦飞沈莹陈思
- 关键词：均匀化方法有限元模型热疲劳寿命
