王瑞铭
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京工业大学机械工程与应用电子技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- 退火工艺对硅通孔填充Cu微结构演化与胀出行为的影响
- 2016年
- 采用不同电流密度和外加剂浓度将Cu电镀填充到硅通孔(TSV)制作晶圆试样,将试样置于Ar气环境内进行退火处理.观测了硅通孔填充Cu(TSV-Cu)的胀出量和界面完整性,分析了电镀参数对填充Cu微结构(晶粒尺寸)以及微结构对填充Cu退火胀出量的影响.结果表明,电流密度和外加剂浓度影响TSV-Cu的晶粒尺寸.电流密度越高,晶粒尺寸越小;外加剂浓度越高,晶粒尺寸越小,但其影响程度不如电流密度显著.退火后,Cu的晶粒尺寸变大,TSV-Cu发生胀出,胀出量与Cu晶粒尺寸具有正相关的关系.随着TSV-Cu的胀出,Cu-Si界面发生开裂,裂纹沿界面层中的Cu种子层内部延伸.
- 陈思秦飞安彤王瑞铭赵静毅
- 关键词：退火微结构
